[发明专利]溅射用靶、薄膜的制造方法以及显示装置无效
| 申请号： | 200980100776.8 | 申请日： | 2009-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101835921A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 栗林正树 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 薄膜 制造 方法 以及 显示装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种溅射用靶，其特征在于，其为含有硼原子(B)、镧原子(La)以及碳原子(C)的烧结体。
2.一种薄膜的制造方法，其特征在于，具有以下工序：通过使用了含有硼原子(B)、镧原子(La)以及碳原子(C)的溅射用靶的溅射法，成膜含有硼原子(B)、镧原子(La)以及碳原子(C)的结晶性薄膜。
3.一种薄膜的制造方法，其特征在于，具有以下工序：通过使用了含有硼原子(B)以及镧原子(La)的溅射用靶的、存在碳源气体条件下的溅射法，成膜含有硼原子(B)、镧原子(La)以及碳原子(C)的结晶性薄膜。
4.一种电子源，其特征在于，其具有含有硼原子(B)、镧原子(La)以及碳原子(C)的结晶性薄膜。
5.一种显示装置，其特征在于，其具备电子源，该电子源具有含有硼原子(B)、镧原子(La)以及碳原子(C)的结晶性薄膜。
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