[发明专利]半导体激光装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体激光装置及其制造方法，特别涉及一种用作光盘装置等中的光源的半导体激光装置及其制造方法。

背景技术

半导体激光装置具有小型、廉价且高输出功率等优良特性，特别是以光盘装置中的记录和再现为用途使用很多半导体激光装置。近年来，人们积极开发用氮化镓(GaN)等III-V族氮化物半导体构成且波长为405nm左右的蓝紫光半导体激光装置。这种蓝紫光半导体激光装置，用于对具有高清晰度的清晰影象进行记录和再现的蓝光(Blu-ray)光盘装置等高密度光盘装置。

在光盘装置中，有必要使进行记录和再现的光学拾取装置中的干扰(noise)减低。在光学拾取装置中产生干扰的原因之一是光在半导体激光装置的端面上的反射。从光学拾取装置的半导体激光装置中出射来的光在光盘的表面上反射，已反射的返回激光的一部分向半导体激光装置入射。一般来讲，半导体激光装置的出射端面是经过劈裂形成的镜面。因此，来自光盘的返回激光会在镜面即出射端面上反射，再次进入光学系统中而成为干扰。

特别是在进行三光束式光学拾取时，位于主光束两侧的跟踪用副光束会在半导体激光装置的出射端面上反射，重新在光盘上形成光斑，在这种情况下会深刻地影响到光学拾取头的跟踪工作。

人们试用过一种防止由于返回光反射而造成干扰和跟踪不良的方法，该方法是：将感光性抗蚀剂涂敷在半导体激光装置的出射端面上，利用激光仅使激光的出射部感光而变成透明，并以其它部分作吸光层，由此防止返回光在出射端面上反射(例如，参照专利文献1)。

此外，人们也试用过下述方法，该方法是：利用干蚀刻法将半导体激光装置的出射端面加工成曲面状，由此使光散射，防止返回光在出射端面上反射(例如，参照专利文献2)。

专利文献1：日本特许公报特许第2586536号说明书

专利文献2：日本公开特许公报特开2004-349328号公报

-发明要解决的技术问题-

然而，所述现有的防止返回光反射的方法有下列问题。首先，由感光性抗蚀剂形成吸光层的方法难以利用于在高密度光盘装置中使用的蓝紫光半导体激光装置。这是因为波长短的蓝紫激光会使树脂恶化，吸光层的功能恶化。

此外，将半导体激光装置的出射端面加工成曲面状的方法有下述问题，即：加工困难，不能稳定地得到产品。

发明内容

在此公开的本发明正是为解决所述问题而研究开发出来的。其目的在于：能够很容易地实现具有防止返回光反射的功能的半导体激光装置。

-用以解决技术问题的技术方案-

为达成所述目的，本发明所涉及的半导体激光装置具有下述结构，即：基板上的出射端面的至少一部分包括由基板的特定晶面形成的锥状突起部。

具体而言，本发明所涉及的半导体激光装置，以用氮化物半导体构成的端面出射式半导体激光装置为对象，该半导体激光装置包括基板、半导体叠层体及多个锥状突起部，该基板由六方晶氮化物半导体形成，该基板的主面的晶面方位为(1-100)，该半导体叠层体形成在基板上，并具有条状光波导部，该多个锥状突起部形成在基板上的出射端面的至少一部分。出射端面的晶面方位为(000-1)。

本发明所涉及的半导体激光装置包括形成在基板上的出射端面的至少一部分的多个锥状突起部。因此，向半导体激光装置的端面入射的返回激光散射。因此，能够使返回激光在端面上进行镜面反射而产生的干扰或者导致的跟踪错误等减低。

在本发明的半导体激光装置中，也可以是这样的，即：锥状突起部呈六棱锥状，由晶面方位为(1-102)的面构成。这样，锥状突起部就由基板的晶面构成，因而该锥状突起部不会像抗蚀剂等那样恶化。此外，因为只要使晶面露出就可以，所以能够再现性高且容易地形成锥状突起部。

本发明的半导体激光装置也可以具有下述结构，即：半导体叠层体具有从下侧依次层叠的n型包覆(clad)层、活性层及p型包覆层；锥状突起部也形成在半导体叠层体上的出射端面的比活性层还靠近下侧的区域的至少一部分。

本发明所涉及的半导体激光装置的制造方法，包括工序(a)和工序(b)，在该工序(a)中，在主面的晶面方位为(1-100)的基板上形成具有条状光波导部的半导体叠层体，在该工序(b)中，从与形成了半导体叠层体的面相反的一侧对基板进行蚀刻，由此形成具有晶面方位为(000-1)的内壁面的凹部，并在内壁面上形成由晶面方位为(1-102)的面构成的锥状突起部。