[发明专利]半导体激光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光装置，是用氮化物半导体构成的端面出射式半导体激光装置，其特征在于：

包括：

基板，由六方晶氮化物半导体形成，主面的晶面方位为(1-100)，

半导体叠层体，形成在所述基板上，具有条状光波导部，以及

多个锥状突起部，形成在所述基板上的出射端面的至少一部分；

所述出射端面的晶面方位为(000-1)。

2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述锥状突起部呈六棱锥状，由晶面方位为(1-102)的面构成。

3.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述半导体叠层体具有从下侧依次层叠的n型包覆层、活性层及p型包覆层；

所述锥状突起部也形成在所述半导体叠层体上的所述出射端面的比所述活性层还靠近下侧的区域的至少一部分。

4.一种半导体激光装置的制造方法，其特征在于：

包括：

工序a，在主面的晶面方位为(1-100)的基板上形成具有条状光波导部的半导体叠层体，和

工序b，从与形成了所述半导体叠层体的面相反的一侧对所述基板进行蚀刻，由此形成具有晶面方位为(000-1)的内壁面的凹部，并在所述内壁面上形成由晶面方位为(1-102)的面构成的锥状突起部。

5.根据权利要求4所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于：

所述蚀刻是湿蚀刻。

6.根据权利要求5所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于：

当进行所述湿蚀刻时，用碱性溶液作蚀刻液，一边用具有氮化物半导体晶体进行吸收的波长的光进行照射，一边进行该湿蚀刻。

7.根据权利要求6所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于：

所述碱性溶液是氢氧化钾。

8.根据权利要求4所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于：

还包括在所述工序b之后使所述半导体叠层体劈裂而形成谐振器端面的工序c；

所述凹部发挥引导所述劈裂的引导槽的作用。

9.根据权利要求4所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于：

还包括在所述工序b之前在所述基板上的与所述半导体叠层体相反一侧的面上形成n侧电极的工序d；

在所述工序b中，用所述n侧电极作掩模进行所述蚀刻。