[实用新型]一种铜线结构的功率晶体管有效

专利信息
申请号: 200920314165.0 申请日: 2009-11-06
公开(公告)号: CN201527975U 公开(公告)日: 2010-07-14
发明(设计)人: 赵振华 申请(专利权)人: 无锡罗姆半导体科技有限公司
主分类号: H01L29/68 分类号: H01L29/68;H01L23/488
代理公司: 江苏英特东华律师事务所 32229 代理人: 邵鋆
地址: 214000 江苏省无锡市高*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 铜线 结构 功率 晶体管
【说明书】:

技术领域:

实用新型属于一种电子器件,特别是一种额定电流0.5~2A,封装形式为T0-126或者T0-220的功率晶体管。

背景技术:

现有封装形式为T0-126或T0-220、额定电流0.5~2A的功率晶体管,都含有半导体芯片、内引线、散热板、外引线和塑封料,其中内引线是2根直径70~100μm的铝线(含硅0.1%)。这种结构的功率晶体管的生产,内引线铝线连接只能用超声键合工艺,需要的时间长,即使采用美国或日本制造的粗铝线全自动铝线键合机,也要约1秒钟完成一个器件。目前市场上最好的半自动键合机,需要2-3秒钟完成一个器件,不仅效率低,而且还容易出现人为因素造成的质量问题,影响产品的可靠性。

实用新型内容:

本实用新型就是为了克服背景技术所述的缺点,设计一种新结构的T0-126/220封装的功率晶体管,将铜线结构用于晶体管,使这种晶体管的制造能够使用效率更高的铜焊设备来生产,提高生产率。

这种铜线结构的功率晶体管含有半导体芯片、外引线、散热板和塑封料,芯片表面涂有一层焊料,技术特征在于芯片与外引线通过铜线连接在一起,连接处采用铜线球焊连接。

优选的铜线为2~3根,直径为25~50μm。为了提高焊接的可靠性,在铜线与芯片焊接处有金属化铝层,铝层的厚度为4~6μm,外引线根部与铜线键合处局部镀有银或镍。

这种采用铜线结构的功率晶体管,芯片与外引线连接稳定可靠,导电性、导热性、破断力均比原(铝线)结构优异;更重要的是可以使用成熟的全自动铜线球焊机来生产,效率高、速度快,只需0.4~0.45秒完成一个器件,比美国或日本粗铝线全自动键合机快2.2-2.5倍,比市场上最好的半自动铝线键合机快5-7倍,大幅度提高了生产效率,同时还减少了人力操作,提高了产品质量的稳定性。

附图说明:

图1,本实用新型T0-126封装形式的实施实例结构图。

图2,本实用新型T0-220封装形式的实施实例结构图。

具体实施方式:

按照图1、图2的一个额定电流2A以下,T0-126/220封装的功率晶体管结构图,外层是塑封料1,3根外引线7通入晶体管内部,内部有芯片4和散热板2,芯片4的外表有焊料3。芯片4与外引线7的连接,通过2根直径为38μm的铜线6连接起来,芯片4与铜线6连接处是一层金属化铝层5,本实施实例中金属化铝层5的厚度为4μm以上。铜线6与芯片金属化铝层5的连接方法是球焊,铜线6与外引线7的连接方法是键合,键合处的外引线7表面局部镀银。

本实用新型的结构可以应用在电流2A以下的、T0-126或者T0-220封装形式的功率晶体管,也可以应用在78/79系列的三端稳压集成电路。

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