[实用新型]半导体红外发光二极管有效
| 申请号： | 200920277572.9 | 申请日： | 2009-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN201590434U | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 刘宪章 | 申请（专利权）人： | 北京瑞普北光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/56;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 100027 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 红外 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.半导体红外发光二极管，包括负电极和正电极，其特征在于，还包括金属玻璃管帽，金属玻璃管帽上设置一玻璃透光窗，金属玻璃管帽与金属玻璃管座密封焊接形成一空腔，负电极穿过金属玻璃管座，负电极一端位于空腔外，另一端位于空腔内并与空腔内的发光芯片连接，正电极穿过金属玻璃管座，正电极一端位于空腔内，另一端位于空腔外，正电极通过键合丝与发光芯片连接，所述的金属玻璃管座与负电极之间、负电极与正电极之间、正电极与金属玻璃管座之间设置有玻璃绝缘子。
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