[实用新型]半导体红外发光二极管有效

专利信息
申请号: 200920277572.9 申请日: 2009-12-23
公开(公告)号: CN201590434U 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 刘宪章 申请(专利权)人: 北京瑞普北光电子有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/56;H01L33/62
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 史霞
地址: 100027 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 半导体 红外 发光二极管
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种半导体红外发光二极管。

背景技术

随着中国航天事业的迅猛发展,航天用户对半导体器件小型化、轻量化、可靠性的要求日益突出。目前,国内重点项目中大多数使用塑封红外发光二极管,存在着材料易老化、寿命短、工作温度低、可靠性不高等缺点。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足,提供一种可靠性高、寿命长的半导体红外发光二极管。

为实现以上目的,本实用新型通过以下技术方案实现:

半导体红外发光二极管,包括负电极和正电极,其特征在于,还包括金属玻璃管帽,金属玻璃管帽上设置一玻璃透光窗,金属玻璃管帽与金属玻璃管座密封焊接形成一空腔,负电极穿过金属玻璃管座,负电极一端位于空腔外,另一端位于空腔内并与空腔内的发光芯片连接,正电极穿过金属玻璃管座,正电极一端位于空腔内,另一端位于空腔外,正电极通过键合丝与发光芯片连接,所述的金属玻璃管座与负电极之间、负电极与正电极之间、正电极与金属玻璃管座之间设置有玻璃绝缘子。

本实用新型的有益效果为:本实用新型采用金属玻璃管帽和管座,提高了发光二极管的可靠性,延长了其使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型结构剖视图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型进行详细的描述:

如图1所示,半导体红外发光二极管,包括金属玻璃管帽1,金属玻璃管帽1上设置玻璃透光窗11,金属玻璃管帽1与金属玻璃管座2密封焊接形成一空腔3,其焊接方式采用激光焊接,负电极4穿过金属玻璃管座2,负电极4一端41位于空腔3外,另一端42位于空腔3内并与空腔3内的发光芯片5连接,正电极6穿过金属玻璃管座2,正电极6一端62位于空腔3外,另一端61位于空腔3内并通过键合丝7与发光芯片5连接,金属玻璃管座2与负电极4之间、负电极4与正电极6之间、正电极6与金属玻璃管座2之间设置有玻璃绝缘子8。

负电极4、发光芯片5、键合丝7与正电极6组成导电通路,接通电源后,发光芯片5可发光,操作者可通过玻璃透光窗11观察到发光芯片5发出的光。

本实用新型中的实施例仅用于对本实用新型进行说明,并不构成对权利要求范围的限制,本领域内技术人员可以想到的其他实质上等同的替代,均在本实用新型保护范围内。

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