[实用新型]发光二极管的导线架构造有效

专利信息
申请号: 200920267761.8 申请日: 2009-10-21
公开(公告)号: CN201523026U 公开(公告)日: 2010-07-07
发明(设计)人: 陈立敏 申请(专利权)人: 一诠精密电子工业(昆山)有限公司;一诠精密工业股份有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周长兴
地址: 215343 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发光二极管 导线 架构
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种发光二极管的导线架构造,尤其是指一种于埋入胶座的支架边缘形成间断式的阻隔区段,可将水气有效阻隔住以防止水气渗入的发光二极管的导线架构造。

背景技术

近年来,由于发光二极管(Light Emitting Diode,LED)具有耗电量低、组件寿命长、无须暖灯时间及反应速度快等优点,加上其体积小、耐震动、适合量产,因此发光二极管已普遍使用于信息、通讯及消费性电子产品的指示灯与显示装置上,如行动电话及个人数字助理(Personal DigitalAssistant,PDA)屏幕背光源、各种户外显示器、交通号志灯及车灯等。

通常发光二极管是通过表面黏贴技术(Surface Mount Device,SMD)固接于发光二极管的导线架构造内,而发光二极管的导线架构造的内部结构对于发光二极管的出光效果具有直接性的影响,以下将说明一种公知的发光二极管的导线架构造。

请参考图1A、图1B以及图1C所示,图1A绘示为公知发光二极管的导线架构造的立体图;图1B绘示为公知发光二极管的导线架构造的胶座与支架间微小空隙立体放大图;图1C绘示为公知发光二极管的导线架构造的俯视示意图。

公知发光二极管的导线架构造,其包含:第一支架10、第二支架20以及胶座30。

第一支架10用以固接发光二极管(图中未绘示)于第一支架10的第一内埋端11,发光二极管可以通过第一支架10产生电性连接,以提供发光二极管所需的一种电性极性,或是可以与其它电子装置(图中未绘示)进行电性连接。

第二支架20的第二内埋端21与发光二极管通过打线接合(wirebonding)技术形成电性连接,在此仅为举例说明,并不以此局限公知技术的应用范畴,以提供发光二极管所需的另外一种电性极性,或是可以与其它电子装置进行电性连接(图中未绘示)。

其中,在第一内埋端11以及第二内埋端21两侧分别形成至少一凹陷部12以及至少一凹陷部22,第一内埋端11两侧以及第二内埋端21两侧所分别形成的凹陷部12以及凹陷部22被埋入于胶座30内。

第一内埋端11两侧所形成的凹陷部11以及第二内埋端21两侧所形成的凹陷部21,其作用将说明如下。

在将第一内埋端11以及第二内埋端21埋入于胶座30内时,由于胶座30与第一支架10以及第二支架20两侧分别会产生微小空隙31(如图1B所示,为加大示意效果,图中以显著方式表现出胶座30与第一支架10以及第二支架20两侧所产生的微小空隙31),而当发光二极管用于具有水气的环境时,水气很容易就从微小空隙31渗入,并且当水气渗入至发光二极管(图中未绘示)时,则会影响到发光二极管的发光效率,甚至会使得发光二极管失效。

当水气沿着胶座30与第一支架10或是第二支架20两侧微小空隙31渗入时,则可以由于第一内埋端11两侧所形成的凹陷部12,或是由于第二内埋端21所形成的凹陷部22,增加水气的行进路径,并同时增加水气所渗入至发光二极管的时间,以延长发光二极管的使用寿命,但是无法有效的防止水气的继续渗入。

公知的发光二极管的导线架构造所使用的技术手段是增加水气的行进路径,并同时增加水气所渗入至发光二极管的时间,以延长发光二极管的使用寿命,但是无法有效的防止水气的继续渗入,在长时间使用发光二极管时,在水气渗入至发光二极管即会影响到发光二极管的发光效率,甚至会使得发光二极管失去效用。

综上所述,可知公知技术中长期以来一直存在现有的发光二极管的导线架构造无法有效防止水气渗入的问题,因此有必要提出改进的技术手段,来解决此一问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种发光二极管的导线架构造,以改善公知技术存在现有的发光二极管的导线架构造无法有效防止水气渗入的问题,

为实现上述目的,本实用新型提供的发光二极管的导线架构造,主要包括:

胶座、第一支架以及第二支架。

其中,该第一支架具有一第一内埋端埋入于该胶座内,该第一内埋端是用以固接该发光二极管,且该第一内埋端两侧分别形成有至少一第一阻隔区段;该第二支架具有一第二内埋端埋入于该胶座内,该第二内埋端用以与该发光二极管产生电性连接,且该第二内埋端两侧分别形成有至少一第二阻隔区段。

而在该第一支架的该第一内埋端两侧的边缘形成的该至少一第一阻隔区段为间断的倒角,以及该第二支架的该第二内埋端两侧的边缘形成的该至少一第二阻隔区段为间断的倒角。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于一诠精密电子工业(昆山)有限公司;一诠精密工业股份有限公司,未经一诠精密电子工业(昆山)有限公司;一诠精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200920267761.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top