[实用新型]发光二极管的导线架构造有效
| 申请号： | 200920267761.8 | 申请日： | 2009-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN201523026U | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 陈立敏 | 申请（专利权）人： | 一诠精密电子工业(昆山)有限公司;一诠精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 215343 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 导线 架构 | ||
1.一种发光二极管的导线架构造，其特征在于，包含：
一胶座；
一第一支架，具有一第一内埋端埋入于该胶座内，该第一内埋端固接该发光二极管，且该第一内埋端两侧分别形成有至少一第一阻隔区段；及
一第二支架，具有一第二内埋端埋入于该胶座内，该第二内埋端与该发光二极管产生电性连接，且该第二内埋端两侧分别形成有至少第二阻隔区段。
2.如权利要求1所述的发光二极管的导线架构造，其特征在于，其中该第一支架的第一阻隔区段为倒角。
3.如权利要求1所述的发光二极管的导线架构造，其特征在于，其中该第二支架的第二阻隔区段为倒角。
4.如权利要求1所述的发光二极管的导线架构造，其特征在于，其中该些第一阻隔区段的长度相同，该些第二阻隔区段的长度相同。
5.如权利要求1所述的发光二极管的导线架构造，其特征在于，其中该些第一阻隔区段的长度不同，该些第二阻隔区段的长度不同。
6.如权利要求1所述的发光二极管的导线架构造，其特征在于，其中该些第一阻隔区段是平均分布于该第一支架边缘，以及该些第二阻隔区段是平均分布于该第二支架边缘。
7.如权利要求1所述的发光二极管的导线架构造，其特征在于，其中该第一支架的第一内埋端及该第二支架的第二内埋端两侧形成有至少一凹陷部。
8.如权利要求7所述的发光二极管的导线架构造，其特征在于，其中该凹陷部与该些第一、二阻隔区段是由该胶座外部向该胶座内部依序配置。
9.如权利要求7所述的发光二极管的导线架构造，其特征在于，其中该些凹陷部与该些第一、二阻隔区段是由该胶座内部向该胶座外部依序配置。
10.如权利要求7所述的发光二极管的导线架构造，其特征在于，其中该些凹陷部与该些第一、二阻隔区段是交错配置于该胶座内部。
11.如权利要求7所述的发光二极管的导线架构造，其特征在于，其中于该凹陷部形成有至少一第三阻隔区段。
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