[实用新型]碲化镉薄膜太阳电池无效

专利信息
申请号: 200920249687.7 申请日: 2009-10-29
公开(公告)号: CN201532956U 公开(公告)日: 2010-07-21
发明(设计)人: 王步峰;李青海;王景义 申请(专利权)人: 润峰电力有限公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/0216
代理公司: 济南圣达专利商标事务所有限公司 37221 代理人: 张勇
地址: 277600 山东省济*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 碲化镉 薄膜 太阳电池
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种碲化镉薄膜太阳电池。

背景技术

现有的碲化镉太阳电池是在导电玻璃基础上依次涂覆硫化镉、碲化镉、铜、碲化锌和镍层来实现的。这种结构的电池存在一定的缺点:1环境稳定性很差,长期使用会有功率衰减2产品生产成本高。

实用新型内容

本实用新型的目的就是为了解决上述问题,提供一种具有结构简单,制作成本低,使用寿命长等优点的碲化镉薄膜太阳电池。

为实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:

一种碲化镉薄膜太阳电池,它包括导电玻璃,在导电玻璃上依次涂覆硫化镉层和碲化镉层,所述碲化镉层上依次设有铬层、钼层和铝层。

硫化镉层厚度为50-500nm。

碲化镉层厚度为1-10微米。

铬层厚度为5-500nm。

钼层厚度为5-500nm。

铝层厚度为5-500nm。

本实用新型的有益效果是:1环境稳定性好,长期使用没有功率衰减;2产品生产成本低。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

其中,1.导电玻璃,2.硫化镉层,3.碲化镉层,4.铬层,5.钼层,6.铝层。

具体实施方式

下面结合附图与实施例对本实用新型做进一步说明。

实施例1:

图1中碲化镉薄膜太阳电池包括导电玻璃1,在导电玻璃1上依次涂覆硫化镉层2、碲化镉层3、铬层4、钼层5和铝层。其中,

硫化镉层厚度为50nm。

碲化镉层厚度为1微米。

铬层厚度为5nm。

钼层厚度为5nm。

铝层厚度为5nm。

实施例2:

在本实施例中,

硫化镉层厚度为100nm。

碲化镉层厚度为3微米。

铬层厚度为100nm。

钼层厚度为100nm。

铝层厚度为100nm。

其余结构与实施例1相同,不再赘述。

实施例3:

在本实施例中,

硫化镉层厚度为200nm。

碲化镉层厚度为4微米。

铬层厚度为200nm。

钼层厚度为200nm。

铝层厚度为200nm。

其余结构与实施例1相同,不再赘述。

实施例4:

在本实施例中,

硫化镉层厚度为300nm。

碲化镉层厚度为5微米。

铬层厚度为300nm。

钼层厚度为300nm。

铝层厚度为300nm。

其余结构与实施例1相同,不再赘述。

实施例5:

在本实施例中,

硫化镉层厚度为400nm。

碲化镉层厚度为8微米。

铬层厚度为400nm。

钼层厚度为400nm。

铝层厚度为400nm。

其余结构与实施例1相同,不再赘述。

实施例6:

在本实施例中,

硫化镉层厚度为500nm。

碲化镉层厚度为10微米。

铬层厚度为500nm。

钼层厚度为500nm。

铝层厚度为500nm。

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