[实用新型]碲化镉薄膜太阳电池无效
申请号: | 200920249687.7 | 申请日: | 2009-10-29 |
公开(公告)号: | CN201532956U | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
发明(设计)人: | 王步峰;李青海;王景义 | 申请(专利权)人: | 润峰电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0216 |
代理公司: | 济南圣达专利商标事务所有限公司 37221 | 代理人: | 张勇 |
地址: | 277600 山东省济*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碲化镉 薄膜 太阳电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种碲化镉薄膜太阳电池。
背景技术
现有的碲化镉太阳电池是在导电玻璃基础上依次涂覆硫化镉、碲化镉、铜、碲化锌和镍层来实现的。这种结构的电池存在一定的缺点:1环境稳定性很差,长期使用会有功率衰减2产品生产成本高。
实用新型内容
本实用新型的目的就是为了解决上述问题,提供一种具有结构简单,制作成本低,使用寿命长等优点的碲化镉薄膜太阳电池。
为实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种碲化镉薄膜太阳电池,它包括导电玻璃,在导电玻璃上依次涂覆硫化镉层和碲化镉层,所述碲化镉层上依次设有铬层、钼层和铝层。
硫化镉层厚度为50-500nm。
碲化镉层厚度为1-10微米。
铬层厚度为5-500nm。
钼层厚度为5-500nm。
铝层厚度为5-500nm。
本实用新型的有益效果是:1环境稳定性好,长期使用没有功率衰减;2产品生产成本低。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
其中,1.导电玻璃,2.硫化镉层,3.碲化镉层,4.铬层,5.钼层,6.铝层。
具体实施方式
下面结合附图与实施例对本实用新型做进一步说明。
实施例1:
图1中碲化镉薄膜太阳电池包括导电玻璃1,在导电玻璃1上依次涂覆硫化镉层2、碲化镉层3、铬层4、钼层5和铝层。其中,
硫化镉层厚度为50nm。
碲化镉层厚度为1微米。
铬层厚度为5nm。
钼层厚度为5nm。
铝层厚度为5nm。
实施例2:
在本实施例中,
硫化镉层厚度为100nm。
碲化镉层厚度为3微米。
铬层厚度为100nm。
钼层厚度为100nm。
铝层厚度为100nm。
其余结构与实施例1相同,不再赘述。
实施例3:
在本实施例中,
硫化镉层厚度为200nm。
碲化镉层厚度为4微米。
铬层厚度为200nm。
钼层厚度为200nm。
铝层厚度为200nm。
其余结构与实施例1相同,不再赘述。
实施例4:
在本实施例中,
硫化镉层厚度为300nm。
碲化镉层厚度为5微米。
铬层厚度为300nm。
钼层厚度为300nm。
铝层厚度为300nm。
其余结构与实施例1相同,不再赘述。
实施例5:
在本实施例中,
硫化镉层厚度为400nm。
碲化镉层厚度为8微米。
铬层厚度为400nm。
钼层厚度为400nm。
铝层厚度为400nm。
其余结构与实施例1相同,不再赘述。
实施例6:
在本实施例中,
硫化镉层厚度为500nm。
碲化镉层厚度为10微米。
铬层厚度为500nm。
钼层厚度为500nm。
铝层厚度为500nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的