[实用新型]碲化镉薄膜太阳电池无效
| 申请号： | 200920249687.7 | 申请日： | 2009-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN201532956U | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 王步峰;李青海;王景义 | 申请（专利权）人： | 润峰电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 济南圣达专利商标事务所有限公司 37221 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 277600 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碲化镉 薄膜 太阳电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种碲化镉薄膜太阳电池，它包括导电玻璃，在导电玻璃上依次涂覆硫化镉层和碲化镉层，其特征是，所述碲化镉层上依次设有铬层、钼层和铝层。
2.如权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳电池，其特征是，所述硫化镉层厚度为50-500nm。
3.如权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳电池，其特征是，所述碲化镉层厚度为1-10微米。
4.如权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳电池，其特征是，所述铬层厚度为5-500nm。
5.如权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳电池，其特征是，所述钼层厚度为5-500nm。
6.如权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳电池，其特征是，所述铝层厚度为5-500nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
