[实用新型]柔性碲化镉薄膜太阳能电池无效
| 申请号: | 200920249686.2 | 申请日: | 2009-10-29 |
| 公开(公告)号: | CN201584421U | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
| 发明(设计)人: | 司红磊;林道勇;王文斌;刘月平;李青海;李林松 | 申请(专利权)人: | 润峰电力有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/052;H01L31/02 |
| 代理公司: | 济南圣达专利商标事务所有限公司 37221 | 代理人: | 张勇 |
| 地址: | 277600 山东省济*** | 国省代码: | 山东;37 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 柔性 碲化镉 薄膜 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及到薄膜太阳能电池领域,尤其涉及一种柔性碲化镉薄膜太阳能电池。
背景技术
对于在户外使用手机、照相机、MP3等便携式电子产品时,经常会遇到电池没电的问题。户外活动时,太阳能是随时随地可为人所用的重要能源,然而传统的太阳能电池普遍体积大、质地硬、不可折叠等特点无法实现轻便、可携带。硬质衬底和普通柔性衬底,光照射到衬底有反射,会造成大量光损失,具有微结构沟槽的衬底可以减少光的损失,有增透膜的作用,可以提高10%光的利用率。在非晶硅、铜铟稼硒、碲化镉等众多薄膜太阳能电池中,非晶硅和铜铟稼硒要么光电转效率低、要么造价高、不稳定。化合物碲化镉多晶薄膜,其特点为:吸收系数大,适合制造薄膜太阳能电池;薄膜带隙为1.45eV,处于最佳能隙范围;容易制造,多种工艺均制成电池效率10%以上。具有锯齿结构的柔性衬底和碲化镉薄膜太阳能电池结合,实现了薄膜太阳能电池体积小、质地软、可折叠、高稳定、寿命长、携带方便、光的高利用率等优点。
实用新型内容
本实用新型目的就是为了解决上述问题,提供一种轻便、低成本、结构简单、光的高利用率的柔性碲化镉薄膜太阳能电池。
为了实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种柔性碲化镉薄膜太阳能电池,它包括带有导电层的柔性衬底,柔性衬底具有锯齿形的微结构,在柔性衬底上沉积硫化镉层、碲化镉层、富碲层、背接触层和背电极。
所述柔性衬底为聚酰亚胺柔性衬底,衬底具有锯齿结构,锯齿结构衬底沟槽深度50到200微米,宽度70到280微米。
所述硫化镉层的厚度在20到1500纳米。
所述碲化镉层的厚度在0.5到50微米。
所述富碲层的厚度在10到50纳米。
所述背电极为镍、铝或镍铝合金。
所述背接触层为碲化锌或铜参杂的碲化锌的背接触层。
本实用新型的有益效果是:碲化镉薄膜电池成本价格是其他薄膜太阳能电池的三分之一,是现在应用在太阳能电池性价比较高的太阳能电池。聚酰亚胺具有化学稳定好、耐高温,耐腐蚀,质地柔软,FTO、ITO等多种透明导电层都能很好的沉积在上面,对柔性衬底处理得到具有微结构沟槽,这种具有微结构沟槽的衬底可以减少光的损失,提高10%光的利用率,二者的结合为柔性碲化镉薄膜电池发展开辟新道路。
附图说明
图1柔性碲化镉薄膜电池结构图。
图中,1柔性衬底,2透明导电层,3硫化镉层,4碲化镉层,5富碲层,6接触层,7背电极。
具体实施方式
下面结合附图与实施例对本实用新型作进一步说明。
图1中,它包括带有透明导电层2的聚酰亚胺柔性衬底1,在柔性衬底1上沉积硫化镉层3、碲化镉层4、富碲层5、背接触层6和背电极7。
其中,柔性衬底为聚酰亚胺柔性衬底,衬底具有锯齿结构,衬底沟槽深度50到200微米,宽度70到280微米。
硫化镉层3的厚度在20到1500纳米,优选厚度为50到1000纳米。
碲化镉层4的厚度在0.5到50微米,优选厚度在2到15微米。
背电极7为镍、铝或镍铝合金。
背接触层6为碲化锌或铜参杂的碲化锌的背接触层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于润峰电力有限公司,未经润峰电力有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200920249686.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种梳子
- 下一篇:用于近场扫描光学显微镜的光纤固定器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





