[实用新型]柔性碲化镉薄膜太阳能电池无效
| 申请号: | 200920249686.2 | 申请日: | 2009-10-29 |
| 公开(公告)号: | CN201584421U | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
| 发明(设计)人: | 司红磊;林道勇;王文斌;刘月平;李青海;李林松 | 申请(专利权)人: | 润峰电力有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/052;H01L31/02 |
| 代理公司: | 济南圣达专利商标事务所有限公司 37221 | 代理人: | 张勇 |
| 地址: | 277600 山东省济*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 柔性 碲化镉 薄膜 太阳能电池 | ||
1.一种柔性碲化镉薄膜太阳能电池,其特征是,它包括带有导电层的柔性衬底,在柔性衬底上沉积硫化镉层、碲化镉层、富碲层、背接触层和背电极。
2.如权利要求1所述的柔性碲化镉薄膜太阳能电池,其特征是,所述导电层为透明导电层,所述柔性衬底为聚酰亚胺柔性衬底,衬底具有锯齿结构。
3.如权利要求2所述的柔性碲化镉薄膜太阳能电池,其特征是,所述锯齿结构沟槽深度50到200微米,宽度70到280微米。
4.如权利要求1所述的柔性碲化镉薄膜太阳能电池,其特征是,所述硫化镉层的厚度在20到1500纳米。
5.如权利要求1所述的柔性碲化镉薄膜太阳能电池,其特征是,所述碲化镉层的厚度在0.5到50微米。
6.如权利要求1所述的柔性碲化镉薄膜太阳能电池,其特征是,所述富碲层的厚度在10到50纳米。
7.如权利要求1所述的柔性碲化镉薄膜太阳能电池,其特征是,所述背电极为镍、铝或镍铝合金。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





