[实用新型]使用MR Sensor进行状态识别的手机

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种手机，特别是涉及一种基于MR Sensor进行手机开合盖状态识别的手机。

背景技术

如今电子产品外观设计要求越来越高，结构越来越复杂，如手机，手机中央处理器需要得到手机状态的状态，从而对应不同的界面。传统的手机状态识别方法有二种：一种采用接近传感器：依靠红外线的发射与发射来判断是否有物体靠近，从而识别手机的状态。其缺点：结构复杂，成本非常高，且使用场合受限。第二种是采用霍尔器件：即利用垂直于霍尔器件的磁场来判断磁铁是否靠近，从而识别手机的状态。但这种方法也存在成本较高，使用场合受限的缺点。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是为了克服现有手机等电子产品在进行状态识别时存在识别成本高且使用场合受限的缺陷，提供一种识别灵敏度高，且成本很低、使用场合也不受限的基于识别的手机。

本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：一种使用MRSensor进行状态识别的手机，其包括一设于该手机内的一中央处理器，其特征在于，其还包括：至少分别设于该手机上下盖上的一磁铁及一MR Sensor，其中，当手机处于合盖状态时，该磁铁的磁力线水平穿过该MR Sensor。

其中，该磁铁的磁场强度为大于或等于1.5Mt。

其中，该MR Sensor与该中央处理器电连接。

本实用新型的积极进步效果在于：由于当磁场水平穿过MR Sensor(英文全称Magnet-Resistance sensor，磁阻传感器)时，MR Sensor就会产生中断信号，因此本实用新型利用MR Sensor感应是否有水平磁力线穿过，进行磁铁靠近或远离的判断，从而有效识别手机开、合盖的状态。本实用新型不仅识别灵敏度高，且其制造成本低，使用方便，可以解决各种型号手机的开、合盖状态的识别与判断。

附图说明

图1为本实用新型第一较佳实施例的MR Sensor的基本应用原理图。

图2为本实用新型第二较佳实施例的合盖状态下翻盖手机的结构图。

图3为本实用新型第二较佳实施例的开盖状态下翻盖手机的结构图。

图4为本实用新型第三较佳实施例的正向合盖状态下的旋屏手机的图。

图5为本实用新型第三较佳实施例的反向合盖状态下的旋屏手机的图。

具体实施方式

下面结合附图给出本实用新型的多个较佳实施例，以详细说明本实用新型的技术方案。

本实用新型提供一种使用MR Sensor进行手机状态识别的手机，其至少包括：一设于该手机内的中央处理器，一分别设于该手机上下盖上的一磁铁及一MR Sensor，由于MR Sensor器件的特点是：当磁场水平穿过MR Sensor时，MR Sensor就会产生中断信号，因此，当手机处于合盖状态时，该磁铁的磁力线水平穿过该MR Sensor。其中，该MR Sensor与该中央处理器电连接。MR Sensor与中央处理器电连接部分及中央处理器的工作原理部分为现有技术，在此不作赘述。本实用新型的基于MR Sensor进行手机状态识别的方法，包括以下步骤：

S1、将MR Sensor设于手机上盖的靠近边缘的底端；

S2、将磁铁置于手机下盖的靠近边缘处的底端，并使磁铁的磁力线能水平穿过该MR Sensor；该磁铁的磁场强度为大于或等于1.5Mt。即1.5Mt磁场强度为磁场感应的最低识别门限。

S3、当手机上、下盖开合状态发生变化时，该MR Sensor进行相应的磁场感应检测；当手机处于开启状态时，该MR Sensor感应到无磁力线；当手机处于合盖状态时，该MR Sensor感应到有磁力线。

S4、该MR Sensor将感应的检测信号反馈至中央处理器。

结合不同款式的手机，具体实施方式如下：

实施例1

如图1所示，图1为MR Sensor基本应用原理图。磁铁1的位置可以在MR Sensor 2的上方，也可以和MR Sensor2在同一水平面上，甚至磁铁1和MR Sensor 2略微错开也可以识别。

实施例2

如图2，图3所示的一翻盖手机4，图2为MR Sensor应用于合盖状态下翻盖手机的结构图，图3为MR Sensor应用于开盖状态下翻盖手机的结构图。将磁铁3的极性水平放置在翻盖手机4的上盖401的靠边缘的底端，磁铁3的N极或S极朝向板尾，S极或N极远离板尾，靠所示磁力线301水平穿过MR Sensor 5，来感应翻盖手机4的开、合盖状态。

状态识别对应表为：