[实用新型]使用MR Sensor进行状态识别的手机无效
| 申请号： | 200920215410.2 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN201577108U | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 黄颖 | 申请（专利权）人： | 上海晨兴希姆通电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H04M1/02 | 分类号： | H04M1/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 薛琦 |
| 地址： | 201700 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 mr sensor 进行 状态 识别 手机 | ||
【权利要求书】：
1.一种使用MR Sensor进行状态识别的手机，其包括一设于该手机内的一中央处理器，其特征在于，其还包括：至少分别设于该手机上下盖上的一磁铁及一MR Sensor，其中，当手机处于合盖状态时，该磁铁的磁力线水平穿过该MR Sensor。
2.如权利要求1所述的使用MR Sensor进行状态识别的手机，其特征在于，该磁铁的磁场强度为大于或等于1.5Mt。
3.如权利要求1或2所述的手机，其特征在于，该MR Sensor与该中央处理器电连接。
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