[实用新型]多晶硅还原炉用新型法兰结构有效

专利信息
申请号: 200920210326.1 申请日: 2009-09-28
公开(公告)号: CN201522196U 公开(公告)日: 2010-07-07
发明(设计)人: 郑飞龙;周积卫;张华芹;陈杰 申请(专利权)人: 上海森松新能源设备有限公司
主分类号: F27D1/00 分类号: F27D1/00;C01B33/035
代理公司: 上海世贸专利代理有限责任公司 31128 代理人: 严新德
地址: 201323 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 多晶 还原 新型 法兰 结构
【说明书】:

技术领域:

本实用新型涉及化学领域,尤其涉及多晶硅还原炉,特别是一种多晶硅还原炉用新型法兰结构。

背景技术:

太阳能多晶硅的生产目前以改良西门子法为主,多晶硅还原炉是改良西门子法生产太阳能多晶硅的核心。多晶硅还原炉使用条件苛刻,法兰上受力复杂。鉴于多晶硅还原炉都采用带夹套结构,因此用在多晶硅还原炉上的法兰不仅要连接到内筒体,而且还要连接到夹套上,结构比较复杂。现有技术中,多晶硅还原炉上的法兰厚度很厚或者内筒体厚度很厚,受力不合理,所受轴向应力过大,而径向应力和环向应力却很小,进而导致所需螺栓面积增大,恶化设计条件,浪费材料。

发明内容:

本实用新型的目的在于提供一种多晶硅还原炉用新型法兰结构,所述的这种多晶硅还原炉用新型法兰结构不合理的技术问题。

本实用新型的这种多晶硅还原炉用新型法兰结构由法兰盘构成,其中,所述的法兰盘的上端面中沿圆周方向设置有一个环状槽,法兰盘中设置有内侧衬筒和底部衬环,内侧衬筒焊接在法兰盘内壁上,底部衬环设置在法兰盘下表面上,内侧衬筒和底部衬环连接在一起,内侧衬筒的上端高于连接法兰盘和内筒体的焊缝。

进一步的,环状槽内侧的法兰盘上端面上焊接有多晶硅还原炉内筒体,环状槽外侧的法兰盘上端面上焊接有多晶硅还原炉夹套筒体。

进一步的,所述的环状槽的截面底部呈曲线过渡。

进一步的,所述的环状槽内侧的法兰盘上端面的高度大于环状槽外侧的法兰盘上端面的高度。

具体的,法兰盘采用碳钢材料制造。内侧衬筒和底部衬环使用不锈钢材料。

本实用新型的工作原理是:设备法兰受力点在内筒、夹套、螺栓、垫圈和垫片上,所受弯矩明显较不带夹套时小,在此结构的基础上可以采用整体法兰厚度计算方法,考虑颈部大端和颈部小端厚度为内筒处和夹套处的叠加厚度,筒体厚度为内筒和夹套厚度的叠加值,可以减小设备法兰的计算厚度,进而减小螺栓、螺母、垫圈的规格和数量,节约材料。

本实用新型和已有技术相比较,其效果是积极和明显的。本实用新型在法兰盘的上端面中沿圆周方向设置环状槽,环状槽内侧的法兰盘上端面上焊接有还原炉内筒体,环状槽外侧的法兰盘上端面上焊接还原炉夹套筒体,受力点在内筒、夹套、螺栓、垫圈和垫片上,所受弯矩明显较不带夹套时小,在此结构的基础上可以采用整体法兰厚度计算方法,考虑颈部大端和颈部小端厚度为内筒处和夹套处的叠加厚度,筒体厚度为内筒和夹套厚度的叠加值,可以减小设备法兰的计算厚度,进而减小螺栓、螺母、垫圈的规格和数量,节约材料。

附图说明:

图1是本实用新型的多晶硅还原炉用新型法兰结构的剖面结构示意图。

图2为图1中所示的多晶硅还原炉用新型法兰结构的局部剖面示意图。

具体实施方式:

实施例1:

如图1和图2所示,本实用新型的多晶硅还原炉用新型法兰结构,由法兰盘2构成,其中,所述的法兰盘1的上端面中沿圆周方向设置有一个环状槽,法兰盘1中设置有内侧衬筒5和底部衬环4,内侧衬筒5设置在法兰盘1内壁上,底部衬环4设置在法兰盘1下表面上,内侧衬筒5和底部衬环4连接在一起,内侧衬筒5的上端高于法兰盘1和内筒体2连接的焊缝。

进一步的,环状槽内侧的法兰盘1上端面上焊接有多晶硅还原炉内筒体2,环状槽外侧的法兰盘1上端面上焊接有多晶硅还原炉夹套筒体3。

进一步的,所述的环状槽的截面底部呈曲线过渡。

进一步的,所述的环状槽内侧的法兰盘1上端面的高度大于环状槽外侧的法兰盘1上端面的高度。

具体的,法兰盘1采用碳钢材料制造。底部衬环4和内侧衬筒5使用不锈钢材料。

本实用新型的工作原理是:设备法兰受力点在内筒、夹套、螺栓、垫圈和垫片上,所受弯矩明显较不带夹套时小,在此结构的基础上可以采用整体法兰厚度计算方法,考虑颈部大端和颈部小端厚度为内筒处和夹套处的叠加厚度,筒体厚度为内筒和夹套厚度的叠加值,可以减小设备法兰的计算厚度,进而减小螺栓、螺母、垫圈的规格和数量,节约材料。

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