[实用新型]多晶硅还原炉用新型法兰结构有效
| 申请号： | 200920210326.1 | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN201522196U | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 郑飞龙;周积卫;张华芹;陈杰 | 申请（专利权）人： | 上海森松新能源设备有限公司 |
| 主分类号： | F27D1/00 | 分类号： | F27D1/00;C01B33/035 |
| 代理公司： | 上海世贸专利代理有限责任公司 31128 | 代理人： | 严新德 |
| 地址： | 201323 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 还原 新型 法兰 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅还原炉用新型法兰结构，由法兰盘构成，其特征在于：所述的法兰盘的上端面中沿圆周方向设置有一个环状槽，法兰盘中设置有内侧衬筒和底部衬环，内侧衬筒焊接在法兰盘内壁上，底部衬环设置在法兰盘下表面上，内侧衬筒和底部衬环连接在一起，内侧衬筒的上端高于连接法兰盘和内筒体的焊缝。
2.如权利要求1所述的多晶硅还原炉用新型法兰结构，其特征在于：环状槽内侧的法兰盘上端面上焊接有多晶硅还原炉内筒体，环状槽外侧的法兰盘上端面上焊接有多晶硅还原炉夹套筒体。
3.如权利要求1所述的多晶硅还原炉用新型法兰结构，其特征在于：所述的环状槽的截面底部呈曲线过渡。
4.如权利要求1所述的多晶硅还原炉用新型法兰结构，其特征在于：所述的环状槽内侧的法兰盘上端面的高度大于环状槽外侧的法兰盘上端面的高度。
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