[实用新型]用于研磨垫调整装置的机械臂

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种用于研磨垫调整装置的机械臂。

背景技术

随着半导体器件尺寸日益减小，由于多层互连或填充深度比较大的沉积过程导致了晶片表面过大的起伏，引起光刻工艺聚焦的困难，使得对线宽的控制能力减弱，降低了整个晶片上线宽的一致性，因此，业界引入了化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)来平坦化晶片表面。

化学机械研磨制程是将晶片表面与研磨垫的研磨表面接触，然后，通过晶片表面与所述研磨表面之间的相对运动将所述晶片表面平坦化。因此，研磨垫的研磨表面的平整度对于化学机械研磨制程来说是至关重要的。目前，业界通常利用化学机械研磨设备的研磨垫调整装置(Pad Conditioner)来调整研磨垫的研磨表面的平整度，以使研磨表面的平整状态符合工艺要求。

请参考图1至图2，其中，图1为现有的研磨垫调整装置的截面图，图2为图1中机械臂的盖子的结构示意图，如图所示，所述研磨垫调整装置包括：机械臂10、支撑件20、调整件30、头组件40、致动器50、驱动轴60、马达70以及润湿喷嘴80，其中，调整件30连接于头组件40的底部，并可选择性的压抵粘附于化学机械研磨设备的平台(platen)上的研磨垫，所述调整件30通常为钻石盘(diamond disk)。

其中，机械臂10包括壳体以及设置于所述壳体内的传动装置，其中所述壳体包括底板11以及与该底板11连接的盖子12，所述盖子12包括水平的顶壁13以及沿所述水平的顶壁13的各边缘垂直向下延伸的侧壁14，所述传动装置包括滑轮15以及与滑轮15连接的传送带16。

当需要使用调整件30调整所述研磨垫时，致动器50可使机械臂10绕所述支撑件20旋转，因此可使头组件40移动，以将所述调整件30定位在所述研磨垫上方，且头组件40可选择性地相对于所述研磨表面对调整件30施压，此时，马达70带动驱动轴60和传送带17旋转，进而带动调整件30旋转以调整所述研磨垫表面。在调整件30调整所述研磨垫的平整度的同时，研磨液经常会溅射到顶壁13上方。

当调整件30未使用时，机械臂10会移动至润湿喷嘴80附近，润湿喷嘴80可向研磨垫调整装置喷射去离子水，以润湿或清洁机械臂10的工作表面。然而，由于顶壁13是水平的，水平表面并不利于去离子水流动，因此喷射的去离子水不能保证冲洗掉顶壁13上所有的研磨液或颗粒物，而导致研磨液、颗粒物以及去离子水经常残留在顶壁13表面形成污染物，这就需要设备维护人员经常擦拭顶壁13以去除掉这些污染物，一旦设备维护人员未及时清除这些污染物，当机械臂10再次旋转至研磨垫上方时，这些污染物则极有可能掉落到研磨垫上而降低产品的良率，例如，干燥的研磨液粉末或颗粒物会造成晶片表面划伤，去离子水滴落到研磨垫上则会导致研磨速率不稳定，给工艺生产带来巨大的损失。

实用新型内容

本实用新型提供一种用于研磨垫调整装置的机械臂，以解决现有的机械臂的顶壁表面易形成污染物，而导致产品的良率下降的问题。

为解决上述问题，本实用新型提出一种用于研磨垫调整装置的机械臂，所述机械臂包括壳体以及设置于所述壳体内的传动装置，所述壳体包括底板以及与该底板匹配的盖子，所述盖子包括至少一个顶壁和沿该顶壁边缘向下延伸的侧壁，其中所述顶壁与水平方向具有倾斜角。

可选的，所述盖子包括一个顶壁，所述顶壁与水平方向形成的倾斜角为1°～10°，所述盖子的截面为直角梯形。

可选的，所述盖子包括两个相互对置朝上倾斜的顶壁，所述两个顶壁与水平方向形成的倾斜角均为1°～10°。

可选的，所述盖子是一体成型的，所述盖子通过螺钉与所述底板连接。

可选的，所述底板的形状为矩形，所述底板上开设有第一孔和第二孔。

可选的，所述传动装置包括滑轮以及与所述滑轮连接的传送带。

可选的，所述研磨垫调整装置还包括与所述传送带连接的头组件。

可选的，所述研磨垫调整装置还包括与所述头组件连接的调整件。

与现有技术相比，本实用新型的机械臂的盖子的顶壁与水平方向具有倾斜角，也就是说所述顶壁的表面是倾斜表面，所述倾斜表面使得喷溅在其上的去离子水容易流动，有利于去除顶壁上的研磨液或其它颗粒物，并确保顶壁上不会残留去离子水，避免顶壁表面形成污染物，提高了化学机械研磨制程的稳定性，进而提高了产品的良率。

附图说明

图1为现有的研磨垫调整装置的截面图；

图2为图1中机械臂的盖子的结构示意图；

图3为本实用新型实施例一的研磨垫调整装置的示意图；