[实用新型]恒定电流产生电路有效
| 申请号: | 200920208008.1 | 申请日: | 2009-08-18 |
| 公开(公告)号: | CN201477464U | 公开(公告)日: | 2010-05-19 |
| 发明(设计)人: | 范红梅;周伟;胡少坚;曹永峰;王勇 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号: | G05F3/24 | 分类号: | G05F3/24 |
| 代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
| 地址: | 201203 上海市张*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 恒定 电流 产生 电路 | ||
1.一种恒定电流产生电路,其特征在于,该恒定电流产生电路包括:
预定电流产生电路,该预定电流产生电路产生预定电流;
滤波电路,该滤波电路连接该预定电流产生电路,该滤波电路滤除该恒定电流产生电路的电源电压中的高频及谐波分量;
镜像电流产生电路,该镜像电流产生电路连接该滤波电路,该镜像电流产生电路包括第一放大器和第一晶体管,该第一晶体管与该预定电流产生电路形成镜像连接,该第一放大器与该第一晶体管电压跟随连接;
比例电流产生电路,该比例电流产生电路连接该镜像电流产生电路,该比例电流产生电路包括第二放大器、第三放大器、第二晶体管、第三晶体管,该第二放大器与该第二晶体管电压跟随连接,该第三放大器与该第三晶体管电压跟随连接,调整该第二、第三晶体管的宽长比调整该比例电流产生电路的输入输出电流比例。
2.如权利要求1所述的恒定电流产生电路,其特征在于:该预定电流产生电路包括第四放大器、第四晶体管、第五晶体管和第一电阻,该第四放大器的正输入端接收参考电压,负输入端经过该第一电阻接地,该第四晶体管的栅极连接该第四放大器的输出端,该第四晶体管的源极连接该第四放大器的负输入端,该第四晶体管的漏极连接该第五晶体管的漏极,该第五晶体管的漏极、栅极相连,该第五晶体管的源极接电压电源。
3.如权利要求2所述的恒定电流产生电路,其特征在于:该第四晶体管是NMOS晶体管,该第五晶体管是PMOS晶体管。
4.如权利要求2所述的恒定电流产生电路,其特征在于:该滤波电路包括第二电阻、第三电阻、第一电容、第二电容,该第二电阻一端经过该第三电阻连接该第一晶体管的栅极,该第二电阻另一端连接该第五晶体管的栅极,该第一电容连接在该电压电源和该第二、第三电阻的节点之间,该第二电容连接在该电压电源和该第一晶体管的栅极之间。
5.如权利要求4所述的恒定电流产生电路,其特征在于:该第一晶体管与该第五晶体管形成镜像连接。
6.如权利要求4所述的恒定电流产生电路,其特征在于:该镜像电流产生电路还包括第六晶体管,该第一晶体管的源极连接电压电源,该第一晶体管的漏极连接该第一放大器的负输入端,该第一晶体管的栅极连接该第一放大器的正输入端,该第一放大器的输出端连接该第六晶体管的栅极,该第六晶体管的源极连接该第一晶体管的漏极,该第六晶体管的漏极连接该第二晶体管的漏极。
7.如权利要求6所述的恒定电流产生电路,其特征在于:该第一、第六晶体管是PMOS晶体管。
8.如权利要求6所述的恒定电流产生电路,其特征在于:该第二晶体管的源极接地,该第二晶体管的栅极连接该第二放大器的输出端和该第三放大器的正输入端,该第二放大器的正输入端接收参考电压的分压值,该第二放大器的正、负输入端的电压跟随,该第三晶体管的栅极连接该第三放大器的负输入端,该第三晶体管的源极接地,该第三放大器正、负输入端的电压跟随,该第二、第三晶体管的栅极、源极、漏极电压一一对应相等。
9.如权利要求8所述的恒定电流产生电路,其特征在于:该比例电流产生电路还包括第五放大器和第七晶体管,该第五放大器的负输入端连接该第二放大器的负输入端,该第五放大器的正输入端连接该第三晶体管的漏极,该第五放大器的输出端连接该第七晶体管的栅极,该第七晶体管的源极连接该第三晶体管的漏极。
10.如权利要求9所述的恒定电流产生电路,其特征在于:该比例电流产生电路还包括第八、第九晶体管,该第八晶体管的栅极连接该第三放大器的输出端,该第八晶体管的源极接地,该第八晶体管的漏极连接该第九晶体管的源极,该第九晶体管的漏极连接电压电源,该第九晶体管的栅极接收外部电压。
11.如权利要求10所述的恒定电流产生电路,其特征在于:该第二、第三、第七、第八、第九晶体管为NMOS晶体管。
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