[实用新型]漏电断路器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种漏电断路器。

背景技术

中国专利文献CN2276678Y公开了一种单相漏电保护器，机械脱扣开关电磁铁线圈、单向可控硅元件和二极管顺序电连接结构的漏电保护器中增加一或门电路，使或门电路中串联的二个二极管按导通方向一致与单向可控硅元件、机械脱扣开关的电磁铁线圈顺序电连接，另一个二极管的阴极与二个串联二极管之间的导线电连接，阳极与地线接线端子电连接。

上述现有技术的不足之处在于：上述漏电断路器的为AC型漏电断路器，功能单一，抗干扰性能较弱，易发生误动作且耐用性较差。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种抗干扰性能较强、不易发生误动作且耐压性较好的漏电断路器。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种漏电断路器，包括：用于与市交流电源相连的桥式整流电路、机械脱扣开关K1、单向可控硅电路、以及由第一谐振电容C1、第二谐振电容C2和电流互感器H1构成的并联谐振回路；机械脱扣开关K1的电磁铁线圈KM设于所述桥式整流电路的交流端的回路中；其特点是：电流互感器置于金属屏蔽罩内；单向可控硅电路包括：相串联的第一单向可控硅和第二单向可控硅；触发电压不低于0.56V的第一单向可控硅的K极接所述桥式整流电路的负极端，第二单向可控硅的A极接所述桥式整流电路的正极端，第二单向可控硅的G极串接第四电阻、第三电容后接所述桥式整流电路的负极端，第二单向可控硅的K极和G极之间设有第七电阻，第一单向可控硅的K极和A极之间设有第六电阻，第二单向可控硅的K极和A极之间设有第五电阻，第一单向可控硅的G极与所述并联谐振回路相连；单向可控硅电路还包括与所述并联谐振回路相并联的正向导通电压不高于0.55V的雪崩稳压管，且雪崩稳压管的阴极串接第二电阻后与第一单向可控硅的G极相连。

本实用新型具有积极的效果：(1)本实用新型的漏电断路器中，并联谐振回路的谐振频率与市交流电源的频率相同。当交流电源发生漏电时，电流互感器获取的漏电信号也为市交流电源的频率(在我国为50Hz)。根据并联谐振回路的特性，在我国当并联谐振回路处于谐振时，可使50Hz的漏电信号的触发可控硅的效能处于最佳，以最有效地触发可控硅，同时使50Hz以外的干扰信号的触发可控硅的效能较低，从而可有效抑制50Hz以外的干扰信号，从而实现国家标准对漏电断路器的技术指标。因此，本实用新型的漏电断路器抗干扰性能较强且不易发生误动作。(2)在本实用新型中，采用两个可控硅串联，使该漏电断路器的耐压性能达千伏以上，故而耐压性较好，克服了传统的采用压敏电阻和R-C吸收回路带来的不稳定因素。(3)本实用新型中，并联谐振回路并联有雪崩稳压管，且雪崩稳压管的阳极与单向可控硅的G极相连。雪崩稳压管的正向导通电压不高于0.55V，且单向可控硅的触发电压不低于0.56V。当外界干扰信号入侵时，雪崩稳压管首先导通，迅速排除了干扰信号，以防止其触发可控硅，而发生误动作。(4)本实用新型中，第一单向可控硅的G极相连有低通滤波电路，用于滤掉高频干扰信号，进一步保证漏电断路器的可靠性。(5)现有技术中，当漏电断路器所在的220V市交流电的检测回路中存在一个强脉冲干扰信号(例如，250A，前沿为8微秒，后沿为20微秒的尖脉冲)往往使电流互感器发生磁饱和，从而破坏了并联谐振回路的谐振频率，因电流互感器磁饱和非线性产生的次谐波能触发可控硅，从而使现有技术的漏电断路器误动作。而在本实用新型中，并联谐振回路中采用的电流互感器的电感量不小于20H；以保证强脉冲干扰信号(250A，前沿为8微秒，后沿为20微秒的尖脉冲)不会使电流互感器发生磁饱和，防止了次谐波触发可控硅的情况。

附图说明

图1为本实用新型的漏电断路器的电原理图；

图2为本实用新型的另一种漏电断路器的电原理图。

具体实施方式

见图1，本实施例的漏电断路器包括：用于与市交流电源相连的桥式整流电路(包括二极管D1、D2、D3和D4)、用于设置在交流电源线路(即图1中的标号1和2)中的机械脱扣开关K1、单向可控硅电路、雪崩稳压管DW、以及由第一谐振电容C1、第二谐振电容C2和用于检测交流电源的漏电信号的电流互感器H1构成的并联谐振回路。