[实用新型]漏电断路器无效
| 申请号： | 200920177558.1 | 申请日： | 2009-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN201478794U | 公开（公告）日： | 2010-05-19 |
| 发明（设计）人： | 王笑丽 | 申请（专利权）人： | 王笑丽 |
| 主分类号： | H02H3/32 | 分类号： | H02H3/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 325600*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 漏电 断路器 | ||
【权利要求书】：
1.一种漏电断路器，包括：用于与市交流电源相连的桥式整流电路、机械脱扣开关(K1)、单向可控硅电路、以及由第一谐振电容(C1)、第二谐振电容(C2)和电流互感器(H1)构成的振频率与所述市交流电源的频率相同的并联谐振回路；机械脱扣开关(K1)的电磁铁线圈(KM)设于所述桥式整流电路的交流端的回路中；
其特征在于：电流互感器(H1)置于金属屏蔽罩内；
单向可控硅电路包括：相串联的第一单向可控硅(BG1)和第二单向可控硅(BG2)；触发电压不低于0.56V的第一单向可控硅(BG1)的K极接所述桥式整流电路的负极端，第二单向可控硅(BG2)的A极接所述桥式整流电路的正极端，第二单向可控硅(BG2)的G极串接第四电阻(R4)、第三电容(C3)后接所述桥式整流电路的负极端，第二单向可控硅(BG2)的K极和G极之间设有第七电阻(R7)，第一单向可控硅(BG1)的K极和A极之间设有第六电阻(R6)，第二单向可控硅(BG2)的K极和A极之间设有第五电阻(R5)，第一单向可控硅(BG1)的G极与所述并联谐振回路相连；
单向可控硅电路还包括与所述并联谐振回路相并联的正向导通电压不高于0.55V的雪崩稳压管(DW)，且雪崩稳压管(DW)的阴极串接第二电阻(R2)后与第一单向可控硅(BG1)的G极相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于王笑丽，未经王笑丽许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200920177558.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
