[实用新型]半导体芯片模块无效

专利信息
申请号: 200920166346.3 申请日: 2009-08-04
公开(公告)号: CN201478290U 公开(公告)日: 2010-05-19
发明(设计)人: 刘台徽 申请(专利权)人: 太聚能源股份有限公司
主分类号: H01L23/13 分类号: H01L23/13;H01L23/48;H01L23/482;H01L23/495;H01L31/048;H01L31/0203;H01L31/0224;H01L23/02;H01L31/052;H01L31/0232
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 芯片 模块
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种半导体芯片模块,特别是涉及具有分别位于异侧的两相异电极的半导体芯片模块。

背景技术

图1显示已知的半导体芯片模块10。如图所示,半导体芯片模块10包含载板13;第一导电接点11与第二导电接点12,分别位于载板13上;及芯片14,设置于载板13上。芯片14具有两个电性相异的第一电极15及第二电极16,第一电极15及第二电极16分别位于芯片14的相对的两侧。当芯片设置于载板11上时,第一电极15电性接触第一导电接点11。至于第二电极16,则可透过引线17以引线的方式使第二电极16与第二导电接点12电性相接,之后再涂上封胶18而完成封装。

已知的半导体芯片模块10有诸多缺点。举例而言,引线即是工艺上相当烦琐成本相对高昂的步骤,况且引线将占据许多空间。由于引线本身细长是较脆弱结构,必需有封胶18保护。然而当芯片14为太阳能芯片时,其长期受到太阳光照射将使封胶18无法承受持续高温而老化破裂。

因此,需要一种新颖的半导体芯片模块来改善已知的问题。

实用新型内容

鉴于上述的已知缺点,本实用新型提供一种具有导电框架及可挠性排线的半导体芯片模块,其中半导体芯片设置于导电框架下方。本实用新型利用导电框架取代已知的引线结构,可避免已知封胶老化破裂的问题。

在实施例,本实用新型提供一种半导体芯片模块,包含导电框架,具有内缘及外缘,内缘定义开口;可挠性排线,具有导体层及视需要的绝缘层,导体层电性接触导电框架的外缘;半导体芯片,定义前侧及后侧,半导体芯片具有分别位于前侧及后侧的第一电极及第二电极,其中第一电极连接导电框架的内缘以使半导体芯片位于导电框架下方,半导体芯片则暴露于开口中。

在另一实施例,本实用新型提供一种如上所述的半导体芯片模块,其中导电框架的内缘或外缘具有锯齿状的外型。

在更另一实施例,本实用新型提供一种如上所述的半导体芯片模块,其中半导体芯片为太阳能芯片。

在再另一实施例,本实用新型提供一种如上所述的半导体芯片模块,还包含基座,用以承载半导体芯片,基座包含第一导电端点及第二导电端点,第一导电端点连接可挠性排线,第二导电端点连接第二电极,基座为电子元件的外壳。

附图说明

图1为已知的半导体芯片模块示意图。

图2为本实用新型第一实施例的半导体芯片模块的结构分解图。

图3A为本实用新型第一实施例的半导体芯片模块的俯视图。

图3B显示沿图3A的I-I’虚线的剖面图。

图4为本实用新型第二实施例的导电框架的俯视图。

图5为本实用新型第三实施例的导电框架的俯视图。

图6为本实用新型第四实施例的半导体芯片模块示意图。

图7A为本实用新型第五实施例的半导体芯片及导电框架示意图。

图7B至图7D为本实用新型第六至第八实施例的导电框架示意图。

图8为本实用新型第八实施例的半导体芯片模块示意图。

附图标记说明

10      半导体芯片模块

11      第一导电接点                     12      第二导电接点

13      载板                             14      芯片

15      第一电极                         16      第二电极

17      引线                             18      封胶

200     半导体芯片模块

210     半导体芯片

210a    前侧                             210b    后侧

211a    第一部分           211b    第二部分

211     第一电极           212     第二电极

220     导电框架

220a    第一表面           220b    第二表面

221     内缘               222     外缘

223     开口

230     可挠性排线         231     导体层

231a    突出部分           232     色缘层

310     第一半导体层       320     第二半导体层

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