[实用新型]一种参考电压电路

权利要求书

1、一种参考电压电路，包括第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管，其特征在于，所述第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管同为表面导电沟道型晶体管，且所述第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管的导电沟道完全相同，其中第一增强型NMOS晶体管的栅极为P型掺杂，第二增强型NMOS晶体管的栅极为N型掺杂。

2、根据权利要求1所述的参考电压电路，其特征在于，所述第一增强型NMOS晶体管和第二增强型NMOS晶体管位于同一种类型的P阱中，且P阱的离子浓度分布相同。

3、根据权利要求2所述的参考电压电路，其特征在于，所述第一增强型NMOS晶体管的漏极和栅极耦接，衬底和源极耦接，同时源极接地，漏极通过第一电流源接电源；

所述第二增强型NMOS晶体管的漏极和栅极耦接，衬底和源极耦接，同时源极通过第二电流源接地；

所述第一增强型NMOS晶体管的栅极和第二增强型NMOS晶体管的栅极耦接；所述第二增强型NMOS晶体管的源极作为参考电压输出端。

4、根据权利要求2所述的参考电压电路，其特征在于，所述第一增强型NMOS晶体管的漏极和栅极耦接，衬底和源极耦接，同时源极接地，漏极通过第三电流源接电源；

所述第二增强型NMOS晶体管的漏极和栅极耦接，衬底接地，同时源极通过第四电流源接地；

所述第一增强型NMOS晶体管的栅极和第二增强型NMOS晶体管的栅极耦接；所述第二增强型NMOS晶体管的源极作为参考电压输出端。

5、根据权利要求2所述的参考电压电路，其特征在于，还包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管；

所述第一PMOS晶体管的栅极和漏极耦接，衬底和源极耦接；

所述第二PMOS晶体管的衬底和源极耦接；

所述第一PMOS晶体管的栅极和第二PMOS晶体管的栅极耦接，所述第一PMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的源极均接电源；

所述第一PMOS晶体管的漏极与所述第一增强型NMOS晶体管的漏极耦接；

所述第一增强型NMOS晶体管的衬底与源极耦接，源极接地；

所述第二增强型NMOS晶体管的漏极与所述第二PMOS晶体管的漏极耦接；

所述第二增强型NMOS晶体管的栅极与漏极耦接，衬底与源极耦接，源极通过第一电阻接地；同时，源极作为参考电压的输出端；

所述第一增强型NMOS晶体管的栅极和所述第二增强型NMOS晶体管的栅极耦接。

6、根据权利要求2所述的参考电压电路，其特征在于，还包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管；

所述第一PMOS晶体管的栅极和漏极耦接，衬底和源极耦接；

所述第二PMOS晶体管的衬底和源极耦接；

所述第一PMOS晶体管的栅极和第二PMOS晶体管的栅极耦接，所述第一PMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的源极均接电源；

所述第一PMOS晶体管的漏极与所述第一增强型NMOS晶体管的漏极耦接；

所述第一增强型NMOS晶体管的衬底与源极耦接，源极接地；

所述第二增强型NMOS晶体管的漏极与所述第二PMOS晶体管的漏极耦接；

所述第二增强型NMOS晶体管的栅极与漏极耦接，衬底与源极耦接，源极通过第五电流源接地；同时，源极作为参考电压的输出端；

所述第一增强型NMOS晶体管的栅极和所述第二增强型NMOS晶体管的栅极耦接。

7、根据权利要求2所述的参考电压电路，其特征在于，所述第一增强型NMOS晶体管的漏极通过第六电流源接电源，源极接地，漏极和栅极耦接；同时，栅极通过第三电阻与所述第二增强型NMOS晶体管的栅极耦接；源极通过第四电阻与所述第二增强型NMOS晶体管的栅极耦接；

所述第二增强型NMOS晶体管的漏极接电源，衬底与源极耦接，源极通过第七电流源接地，同时，源极作为参考电压的输出端。