[实用新型]单面镀膜玻璃无效

专利信息
申请号: 200920135193.6 申请日: 2009-03-11
公开(公告)号: CN201317743Y 公开(公告)日: 2009-09-30
发明(设计)人: 徐日宏 申请(专利权)人: 深圳市三鑫精美特玻璃有限公司
主分类号: C03C17/34 分类号: C03C17/34
代理公司: 深圳市科吉华烽知识产权事务所 代理人: 胡吉科
地址: 518000广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 单面 镀膜 玻璃
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种触摸屏用玻璃,尤其涉及一种高透射的单面镀膜玻璃。

背景技术

镀膜玻璃如今已广泛应用于触摸屏领域,现有的一些用于触摸屏的镀膜玻璃可见光透过率低,反射率高。特别在环境光较强的情况下,画面图像的对比度会大大降低,严重影响着视觉效果。例如,目前普通ITO触摸屏玻璃可见光透过率约86%,反射率8%,在环境光较强的情况下,画面对比度低,图像看不清楚,同时,高反射率导致视觉效果更差,在长时间观看时,也影响着眼睛。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题是:克服现有技术中,触摸屏用的镀膜玻璃透光率低、反射率高而导致视觉效果差的技术问题。

本实用新型提供的解决技术问题的技术方案是:构建一种单面镀膜玻璃,包括玻璃基片,在所述玻璃基片的一面依次重叠沉积Nb2O5层和SiO2层至SiO2层为外层,或依次重叠沉积TiO2层和SiO2层至SiO2层为外层,所述重叠层外再沉积半导体膜层。

本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是:所述玻璃基片一面的沉积层为五层。

本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是:所述沉积层厚度依次为:Nb2O5层或TiO2层为10nm至30nm,SiO2层为20nm至50nm,Nb2O5层或TiO2层为20nm至50nm,SiO2层为60nm至140nm,半导体膜层为8至28nm。

本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是:所述玻璃基片一面的沉积层为七层。

本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是:所述沉积层厚度依次为:Nb2O5层或TiO2层为5nm至18nm,SiO2层为20nm至50nm,Nb2O5层或TiO2层为20nm至60nm,SiO2层为5nm至20nm,Nb2O5层或TiO2层为20nm至70nm,SiO2层为40nm至80nm,半导体膜层为8至28nm。

本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是:所述半导体膜层为掺锡氧化铟膜层。

本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是:所述镀膜采用真空磁控溅射方式镀膜。

本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是:所述玻璃基片为透明的钢化玻璃或半钢化的玻璃基片。

本实用新型技术方案的技术效果是:通过构建一种镀膜玻璃,在所述玻璃基片的一面依次重叠沉积Nb2O5层和SiO2层至SiO2层为外层,或依次重叠沉积TiO2层和SiO2层至SiO2层为外层,所述重叠层外再沉积半导体膜层。由于沉积了多层增透减反膜层,提高了所述镀膜玻璃的可见光透过率。

附图说明

图1为本实用新型五层镀膜玻璃结构示意图。

图2为本实用新型七层镀膜玻璃结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型技术方案进行进一步说明:

本实用新型构建一种单面镀膜玻璃,本实用新型采用真空磁控溅射方式镀膜,包括玻璃基片,在所述玻璃基片的一面依次重叠沉积Nb2O5层和SiO2层至SiO2层为外层,或依次重叠沉积TiO2层和SiO2层至SiO2层为外层,所述重叠层外再沉积半导体膜层。

如图1所示,所述玻璃基片1一面的沉积层为五层。所述沉积层厚度依次为:Nb2O5层2或TiO2层2为10nm至30nm,SiO2层3为20nm至50nm,Nb2O5层4或TiO2层4为20nm至50nm,SiO2层5为60nm至140nm,半导体膜层6为8至28nm。所述半导体膜层为掺锡氧化铟膜层。所述玻璃基片为透明的钢化玻璃或半钢化的玻璃基片。

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