[实用新型]单面镀膜玻璃无效
| 申请号： | 200920135193.6 | 申请日： | 2009-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN201317743Y | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 徐日宏 | 申请（专利权）人： | 深圳市三鑫精美特玻璃有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所 | 代理人： | 胡吉科 |
| 地址： | 518000广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单面 镀膜 玻璃 | ||
1.一种单面镀膜玻璃，包括玻璃基片，其特征在于：在所述玻璃基片的一面依次重叠沉积Nb2O5层和SiO2层至SiO2层为外层，或依次重叠沉积TiO2层和SiO2层至SiO2层为外层，所述重叠层外再沉积半导体ITO膜层。
2、根据权利要求1所述的单面镀膜玻璃，其特征在于，所述玻璃基片一面的沉积层为五层。
3、根据权利要求2所述的单面镀膜玻璃，其特征在于，所述沉积层厚度依次为：Nb2O5层或TiO2层为10nm至30nm，SiO2层为20nm至50nm，Nb2O5层或TiO2层为20nm至50nm，SiO2层为60nm至140nm，半导体膜层ITO为8至28nm。
4、根据权利要求1所述的单面镀膜玻璃，其特征在于，所述玻璃基片一面的沉积层为七层。
5、根据权利要求4所述的单面镀膜玻璃，其特征在于，所述沉积层厚度依次为：Nb2O5层或TiO2层为5nm至18nm，SiO2层为20nm至50nm，Nb2O5层或TiO2层为20nm至60nm，SiO2层为5nm至20nm，Nb2O5层或TiO2层为20nm至70nm，SiO2层为40nm至80nm，半导体膜层ITO为8至28nm。
6、根据权利要求1所述的单面镀膜玻璃，其特征在于，所述半导体膜层为掺锡氧化铟膜层。
7、根据权利要求1所述的单面镀膜玻璃，其特征在于，所述镀膜采用真空磁控溅射方式镀膜。
8、根据权利要求1所述的单面镀膜玻璃，其特征在于，所述玻璃基片为透明的钢化玻璃或半钢化的玻璃基片。
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