[实用新型]一种透明导电膜玻璃

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种透明导电膜玻璃。

背景技术

太阳能电池市场在近几年来开始推广建筑光伏一体化，由于晶体硅电池具有不同透性以及需要强光才可发电，而薄膜电池相对在建筑上应用具有弱光发电的优势，所以具有发展的潜力。

目前全球都在生产和研究太阳能薄膜电池。薄膜电池组件中的前电极盖板目前都是采用透明导电膜玻璃，商业化的透明导电膜玻璃的生产技术目前主要有以下两种：

其中一种方式是采用掺氟二氧化锡薄膜，其制造方式主要是在浮法生产线上采用在线喷雾热解法的方式沉积一层掺氟二氧化锡薄膜。然而，在玻璃表面沉积掺氟二氧化锡薄膜后的玻璃存在透过率无法达到＞80％、方块电阻值≥18Ω、雾度低、因玻璃的横向尺寸过宽导致均匀性差等问题，从而影响着太阳能薄膜电池的转换效率。

另一种方式是在浮法玻璃表面以磁控溅射方式沉积一层氧化铟锡薄膜，氧化铟锡薄膜本身虽然具有很好的性能，然而，氧化铟锡薄膜因受热后稳定性差，在PECVD(化学气相沉积)过程中被氢还原、方块电阻值升高与均匀性差、价格高等因素，无法在太阳能薄膜电池领域上应用。

就以上掺氟二氧化锡导电膜玻璃与氧化铟锡导电膜玻璃存在的问题，如何提高太阳能光电转换效率，是业界急待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种透明导电膜玻璃，旨在解决现有透明导电膜玻璃透过率低、方块电阻值高的问题。

本实用新型进一步所要解决的技术问题在于提供一种透明导电膜玻璃，旨在解决现有太阳能薄膜电池领域透明导电膜玻璃雾度高的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型实施例是这样实现的：提供一种透明导电膜玻璃，具有玻璃基片，以及沉积在玻璃基片表面的氧化硅膜、沉积在氧化硅膜表面的掺铝氧化锌透明导电膜。

进一步地，所述掺铝氧化锌透明导电膜表面具有若干凹坑。

上述透明导电膜玻璃可采用任何玻璃作为玻璃基片，可提高玻璃原片的优化率，从而透过率较高，成本较低，生产效率较高。掺铝氧化锌透明导电膜玻璃的方块电阻值低，可很好地使太阳光穿透，在太阳能薄膜电池领域具有光电转换率高等优势，在屏蔽材料上具有优越的屏蔽效果。此外，掺铝氧化锌透明导电膜表面的凹坑可防止入射光发生二次反射，从而提高玻璃的雾度。

附图说明

图1是本实用新型透明导电膜玻璃一较佳实施例的结构示意图。

图2是图1所示的透明导电膜玻璃表面放大后的结构示意图。

图3是本实用新型透明导电膜玻璃另一较佳实施例的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

请参阅图1至图3，该透明导电膜玻璃具有玻璃基片1，以及沉积在玻璃基片1表面的氧化硅膜2、沉积在氧化硅膜2表面的掺铝氧化锌透明导电膜3。

在本实施例中，所述氧化硅膜2是采用磁控溅射方法进行沉积的，其厚度为30-150nm。所述掺铝氧化锌透明导电膜3也是采用磁控溅射方法进行沉积的，其厚度为30nm-3μm。

经过磁控溅射方法沉积膜层后的玻璃透过率在550nm时百分比为70％～94％，经过磁控溅射后带掺铝氧化锌透明导电膜3的玻璃反射率在550nm时百分比为3％～8％，透明导电膜玻璃的雾度在550nm时为8％～30％。

图1及图2所示的透明导电膜玻璃主要应用于太阳能薄膜电池领域，掺铝氧化锌透明导电膜3通过连续式湿法蚀刻进行制绒处理，从而在掺铝氧化锌透明导电膜3表面形成若干凹坑32，以防止入射光发生二次反射。在1μm²的面积中凹坑32的数量＞5个，每一凹坑32的半径为20nm-1μm，每一凹坑32的深度为50nm-3μm。

掺铝氧化锌透明导电膜3在湿法酸、碱性溶液蚀刻前的方块电阻值为15～40Ω/cm，湿法酸、碱性溶液蚀刻后的方块电阻值为4～20Ω/cm，经过酸、碱性蚀刻制绒后获得玻璃表面的掺铝氧化锌透明导电膜3厚度为350nm～3μm。

图3所示的透明导电膜玻璃主要应用于建筑、家电、汽车用的电加热材料与屏蔽材料领域，于掺铝氧化锌透明导电膜3表面进一步沉积有氧化硅膜或氮化硅膜4，以保护掺铝氧化锌透明导电膜3，防止其与空气、水汽接触而发生氧化。