[实用新型]一种透明导电膜玻璃有效
申请号: | 200920129802.7 | 申请日: | 2009-02-02 |
公开(公告)号: | CN201302999Y | 公开(公告)日: | 2009-09-02 |
发明(设计)人: | 董清世;黄华义 | 申请(专利权)人: | 信义玻璃工程(东莞)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 523935广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透明 导电 玻璃 | ||
1、一种透明导电膜玻璃,具有玻璃基片,其特征在于,在所述玻璃基片表面沉积有氧化硅膜,在所述氧化硅膜表面沉积有掺铝氧化锌透明导电膜。
2、如权利要求1所述的透明导电膜玻璃,其特征在于,所述掺铝氧化锌透明导电膜表面具有若干凹坑。
3、如权利要求2所述的透明导电膜玻璃,其特征在于,在1μm2的面积中所述凹坑的数量>5个。
4、如权利要求2所述的透明导膜玻璃,其特征在于,每一凹坑的半径为20nm-1μm。
5、如权利要求2所述的透明导电膜玻璃,其特征在于,每一凹坑的深度为50nm-3μm。
6、如权利要求1所述的透明导电膜玻璃,其特征在于,所述掺铝氧化锌透明电膜表面进一步沉积有氧化硅膜或氮化硅膜。
7、如权利要求1所述的透明导电膜玻璃,其特征在于,所述氧化硅膜的厚度为30-150nm。
8、如权利要求1所述的透明导电膜玻璃,其特征在于,所述掺铝氧化锌透明导电膜的厚度为30nm-3μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的