[实用新型]高发光率的覆晶式发光二极管

权利要求书

1.一种高发光率的覆晶式发光二极管，包含：

一个透明基板；

一个半导体层，设于透明基板上方，且包含一个N型半导体层、一个发光层及一个P型半导体层，其中，发光层介于N型半导体层与P型半导体层之间；

一个透明导电层，设于P型半导体层上方且电性连接至P型半导体层；

一个氧化层，设于透明导电层上方；

一个金属反射层，设于氧化层上方；

一个导电层，设于氧化层上，以电性连接透明导电层与金属反射层；

一个扩散保护层，设于金属反射层上方且电性连接该金属反射层；

一个第一电极，设于半导体层的N型半导体层上方且电性连接N型半导体层；

一个导热基板，导热基板的表面具有第一及第二金属接合层；

其特征是：发光二极管的第一电极与扩散保护层朝向导热基板，并分别与第一和第二金属接合层电性连接。

2.根据权利要求1所述的高发光率的覆晶式发光二极管，其特征是：导热基板是选自金、银或铝。

3.根据权利要求1所述的高发光率的覆晶式发光二极管，其特征是：透明导电层、氧化层、金属反射层与扩散保护层是作为一个第二电极。

4.根据权利要求1所述的高发光率的覆晶式发光二极管，其特征是：透明基板是选自蓝宝石、碳化硅、氧化锌、磷化镓、砷化镓的其中一种。

5.根据权利要求1所述的高发光率的覆晶式发光二极管，其特征是：N型半导体层为N-GaN层。

6.根据权利要求1所述的高发光率的覆晶式发光二极管，其特征是：发光层选自InGaN/GaN多重量子井结构、三-五族元素为主的一个半导体量子井结构的其中一种。

7.根据权利要求1所述的高发光率的覆晶式发光二极管，其特征是：P型半导体层是为P-GaN层。

8.根据权利要求1所述的高发光率的覆晶式发光二极管，其特征是：第一电极是选自Ti/Al、Ti/Al/Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Ti/Al/Pd/Au、Ti/Al/Cr/Au、Ti/Al/Co/Au、Cr/Al/Cr/Au、Cr/Al/Pt/Au、Cr/Al/Pd/Au、Cr/Al/Ti/Au、Cr/Al/Co/Au、Cr/Al/Ni/Au、Pd/Al/Ti/Au、Pd/Al/Pt/Au、Pd/Al/Ni/Au、Pd/Al/Pd/Au、Pd/Al/Cr/Au、Pd/Al/Co/Au、Nd/Al/Pt/Au、Nd/Al/Ti/Au、Nd/Al/Ni/Au、Nd/Al/Cr/Au、Nd/Al/Co/Au、Hf/Al/Ti/Au、Hf/Al/Pt/Au、Hf/Al/Ni/Au、Hf/Al/Pd/Au、Hf/Al/Cr/Au、Hf/Al/Co/Au、Zr/Al/Ti/Au、Zr/Al/Pt/Au、Zr/Al/Ni/Au、Zr/Al/Pd/Au、Zr/Al/Cr/Au、Zr/Al/Co/Au、TiNx/Ti/Au、TiNx/Pt/Au、TiNx/Ni/Au、TiNx/Pd/Au、TiNx/Cr/Au、TiNx/Co/Au、TiWNx/Ti/Au、TiWNx/Pt/Au、TiWNx/Ni/Au、TiWNx/Pd/Au、TiWNx/Cr/Au、TiWNx/Co/Au、NiAl/Pt/Au、NiAl/Cr/Au、NiAl/Ni/Au、NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Pt/Au、Ti/NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Ni/Au、Ti/NiAl/Cr/Au的其中一种。

9.根据权利要求1所述的高发光率的覆晶式发光二极管，其特征是：透明导电层是选自氧化铟、氧化锡、氧化铟钼、氧化铟铈、氧化锌、氧化铟锌、氧化镁锌、氧化锡镉、氧化铟锡、氧化镍、Ni/Au、TiN、TaN、CuAlO2、LaCuOS、CuGaO2、SrCu2O2、铂(Pt)或氧化镍(NiOx)、氧化铱(IrO)、氧化铑(RhO)、氧化钌(RuO)与金(Au)组合的其中一种。

10.根据权利要求1所述的高发光率的覆晶式发光二极管，其特征是：氧化层是选自二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮化氧硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、ZnO、AlN与BeN的其中一种。