[实用新型]高发光率的覆晶式发光二极管

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种发光二极管，特别是涉及一种高发光率的覆晶式发光二极管。

背景技术

照明设备发展以来，由于传统照明设备功率较高的因素，致使其产生电力消耗较多的缺点，为此，各国产、学、研界专家学者纷纷投入照明设备的发光元件的研究，发光二极管(Light Emitting Diode；LED)即在此需求下因应而生。

如图1所示，常见的使用蓝宝石基板成长氮化镓系列的发光二极管，是依序将氮化镓缓冲层2’，N型氮化镓欧姆接触层3’，氮化铟镓的发光层4’，P型氮化铝镓披覆层5’、P型氮化镓欧姆接触层6’及P型透光金属导电层7’外延层成长于蓝宝石基板1’上，最后，设置阳极电极8’于P型透光金属导电层7’上方以及设置阴极电极9’于N型氮化镓欧姆接触层3’之上，并分别于阳极电极8’与该阴极电极9’接设导线10’，11’以导通导电支架12’的两个电极。

上述发光二极管结构中，当氮化铟镓的发光层4’发出光线时，该阳极电极8’是会遮蔽该发光层4射出的光线，而使发光二极管产生发光面积缩小与明暗不均等问题，为解决前述问题，一种覆晶式发光二极管是被提出，如图2所示，此结构是将发光二极管晶片反转接合于一个基座15’，使发光二极管晶片的阳极电极8’与阴极电极9’直接贴附于该基座15’的第一导电区13’与第二导电区14’，当发光层4’发出光线时，不经由阳极电极8’，而穿透基板1’(如蓝宝石)直接通导至外界，以增加发光面积。

虽然图2所示的覆晶式发光二极管可解决阳极电极8’遮蔽发光层4发出的光线的问题，但是由于此覆晶式发光二极管的部份光线是朝向第一导电区13、该第二导电区14’及该基座15’，而无法通导至外界，因此，此覆晶式发光二极管结构是无法有效发挥发光效果。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种高发光率的覆晶式发光二极管，能够避免光线被遮蔽，提高发光效率，并且能增加元件使用寿命，进一步缩小封装体积。

为解决上述技术问题，本实用新型高发光率的覆晶式发光二极管的技术方案是，一种高发光率的覆晶式发光二极管，包含：

一个透明基板；

一个半导体层，设于透明基板上方，且包含一个N型半导体层、一个发光层及一个P型半导体层，其中，发光层介于N型半导体层与P型半导体层之间；

一个透明导电层，设于P型半导体层上方且电性连接至P型半导体层；

一个氧化层，设于透明导电层上方；

一个金属反射层，设于氧化层上方；

一个导电层，设于该氧化层上，以电性连接透明导电层与金属反射层；

一个扩散保护层，设于金属反射层上方且电性连接该金属反射层；

一个第一电极，设于半导体层的N型半导体层上方且电性连接N型半导体层；

一个导热基板，导热基板的表面具有第一及第二金属接合层；

其特征是：发光二极管的第一电极与扩散保护层朝向导热基板，并分别与第一和第二金属接合层电性连接。

本实用新型的高发光率的覆晶式发光二极管，通过设置一个透明导电层、一个氧化层、一个金属反射层、一个导电层以及一个扩散保护层于P型半导体层上方，以反射发光层发出的光线，提升覆晶式发光二极管的发光效率，此外，本实用新型也可利用覆晶技术将发光二极管晶片反转设置于高导热基板上，以此提升发光二极管的散热能力，进一步延伸此发光二极管的使用周期，并且进一步缩小封装体积。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步详细的说明：

图1为已有使用蓝宝石基板成长氮化镓系列的发光二极管的示意图；

图2为已有的覆晶式发光二极管的示意图；

图3为本实用新型高发光率的覆晶式发光二极管晶片的示意图；

图4为高发光率的覆晶式发光二极管的示意图。

图中附图标记说明：

1’为蓝宝石基板，2’为氮化镓缓冲层，3’为N型氮化镓欧姆缓冲层，4’为氮化铟镓的发光层，5’为P型氮化铝镓披覆层，6’为P型氮化镓欧姆接触层，7’为P型透光金属导电层，8’为阳极电极，9’为阴极电极，10’、11’为导线，12’为导电支架，13’为第一导电区，14’为第二导电区，15’为基座，10为透明基板，12为N型半导体层，14为发光层，16为P型半导体层，18为透明导电层，20为氧化层，22为金属反射层，24为导电层，26为扩散保护层，28为第一金属接合层，30为第一电极，32为第二金属接合层，34为导热基板。

具体实施方式