[实用新型]发光二极管结构有效
申请号: | 200920006490.0 | 申请日: | 2009-03-26 |
公开(公告)号: | CN201421846Y | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 林士杰;陈立敏;陈咏杰 | 申请(专利权)人: | 一诠精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京市浩天知识产权代理事务所 | 代理人: | 许志勇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种发光二极管结构,尤其是指一种支架全完埋入于胶座中,并在支架设置增强部增强胶座以及支架之间的结合力,且在胶座的下表面形成电性连接部的发光二极管结构。
背景技术
近年来,由于发光二极管(Light Emitting Diode,LED)具有耗电量低、元件寿命长、无须暖灯时间及反应速度快等优点,加上其体积小、耐震动、适合量产,因此发光二极管已普遍使用于信息、通信及消费性电子产品的指示灯与显示装置上,如移动电话及个人数字助理(Personal Digital Assistant,PDA)屏幕背光源、各种户外显示器、交通号志灯及车灯等。
通常发光二极管晶片是通过表面粘贴技术(Surface Mount Device,SMD)或是覆晶接合技术(flip chip bonding)固接于具有凹陷部的胶座内的支架上,如图1所示,图1为现有之发光二极管结构侧视剖面图。
在具有凹陷部52的胶座51中,埋入设置有至少两个支架53,支架53的一端即是分别暴露在胶座51的凹陷部52内,另一端则是分别延伸出胶座51的两侧,即可形成外部电性连接部54,并且将外部电性连接部54进行弯折,并使得外部电性连接部54贴合于胶座51,以便于与其他电子装置(图式中未绘示)电性连接。
接着,再通过表面粘贴技术将发光二极管晶片55固接于暴露在胶座51的凹陷部52内的支架53其中之一的端部,以及通过打线接合技术或是覆晶接合技术使发光二极管晶片55可以通过导线与另一支架53形成电性连接,最后,再在胶座51的凹陷部52上形成封装胶体56,封装胶体56即可以覆盖于凹陷部52上,即可以形成现有的发光二极管结构。
在外部电性连接部54进行弯折且贴合于胶座51时,由于胶座51为热塑性树脂所形成,当受到外力所挤压时,将无法承受挤压时的外力,因此会造成胶座51受外力挤压的部分造成形变,甚至会造成胶座51破损,进而导致外部电性连接部54定位的错误。
综上所述,可知现有技术中长期以来一直存在发光二极管结构的支架在弯折电性连接部时,造成胶座结构受损并导致电性连接部定位错误的问题,因此有必要提出改进的技术手段,来解决此一问题。
实用新型内容
有鉴于现有技术存在发光二极管结构的支架在弯折电性连接部时,造成胶座结构受损并导致电性连接部定位错误的问题,本实用新型提供一种发光二极管结构,其中:
本实用新型所提供的发光二极管结构,其第一实施例包含有:胶座以及至少两个支架。
其中,自胶座的上表面凹设第一凹陷部,且自胶座的下表面凹设至少一第二凹陷部;至少两个支架分别设置至少一增强部,且支架分别用于提供发光二极管晶片形成电性连接,支架是完全埋于胶座内,而增强部与胶座形成固接,且支架固接发光二极管晶片的部分暴露于第一凹陷部,支架暴露在第二凹陷部以形成电性连接部。
本实用新型所提供的发光二极管结构,其第二实施例包含有:胶座、散热支架以及至少两个支架。
其中,自胶座的上表面凹设第一凹陷部,且自胶座的下表面凹设至少一第二凹陷部;散热支架设置至少一增强部,且散热支架用于固接发光二极管晶片,散热支架是完全埋于胶座内,而散热支架的增强部与胶座形成固接,且散热支架固接发光二极管晶片的部分暴露于第一凹陷部;至少两个支架分别设置至少一增强部,支架是完全埋于胶座内,而支架的增强部与胶座形成固接,支架暴露于第一凹陷部的部分与发光二极管晶片形成电性连接,支架暴露于第二凹陷部以形成电性连接部。
本实用新型所提供的发光二极管结构如上,与现有技术之间的差异在于本实用新型将支架完全埋入于胶座中,并在支架设置增强部增强胶座以及支架之间的结合力,并且支架分别暴露在胶座的第一凹陷部以及第二凹陷部,借以在胶座的下表面形成电性连接部,并不需要对支架进行弯折,可以避免支架弯折时所产生胶座结构受损并导致电性连接部定位错误的问题。
通过上述的技术手段,本实用新型可以达到避免支架弯折导致胶座受损并正确定位电性连接部的技术功效。
附图说明
图1为现有的发光二极管结构侧视剖面图;
图2为本实用新型发光二极管结构第一实施例的俯视示意图;
图3A为本实用新型发光二极管结构第一实施例的支架侧视示意图;
图3B至图3D为本实用新型发光二极管结构第一实施例的增强部实施例侧视放大示意图;
图4A为本实用新型发光二极管结构第一实施例的侧视第一剖面示意图;
图4B为本实用新型发光二极管结构第一实施例的侧视第二剖面示意图;
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