[发明专利]三维混合信号芯片堆叠封装体及其制备方法

权利要求书

1.一种三维混合信号芯片堆叠封装体，包括一封装基板，其特征在于，在所述封装基板上堆叠固定有最内层塑封层以及至少一层外部塑封层；每层塑封层内至少塑封有一块芯片；每层塑封层将其相邻的内部塑封层完全覆盖并与所述封装基板相连接；任意相邻的两层塑封层之间涂覆有屏蔽胶；所述屏蔽胶与所述封装基板的连接处分布有多个导热孔；每层塑封层内的芯片皆与所述封装基板电连接。

2.根据权利要求1所述的三维混合信号芯片堆叠封装体，其特征在于，每层塑封层内的芯片间成水平并列排列；其中，最内层塑封层内的芯片通过粘接剂或采用倒装焊的方式直接固定在其下部的所述封装基板上，最内层以外的其他塑封层内的芯片通过屏蔽胶固定在其相邻的内层塑封层之上。

3.根据权利要求1所述的三维混合信号芯片堆叠封装体，其特征在于，每层塑封层内的芯片间由下至上堆叠排列；其中，最内层塑封层内的最底层的芯片通过粘接剂或采用倒装焊的方式直接固定在其下部的所述封装基板上，其他芯片通过粘接剂依次固定在其下部的芯片之上，或采用倒装焊的方式直接固定在所述封装基板之上；最内层以外的其他塑封层内的最底层的芯片通过屏蔽胶固定在其相邻的内层塑封层之上，其他芯片通过粘接剂依次固定在其下部芯片之上或采用倒装焊的方式直接固定在所述封装基板之上。

4.根据权利要求1至3中任一所述的三维混合信号芯片堆叠封装体，其特征在于，所述屏蔽胶是含有高导磁率和高导电率的微颗粒的胶体。

5.根据权利要求1至3中任一所述的三维混合信号芯片堆叠封装体，其特征在于，所述封装基板上还固定有无源元件。

6.根据权利要求1至3中任一所述的三维混合信号芯片堆叠封装体，其特征在于，所述封装体的最外层塑封层的侧面为垂直面，其他塑封层的侧面为垂直面或为上部较窄且底部较宽的斜坡面。

7.根据权利要求2或3所述的三维混合信号芯片堆叠封装体，其特征在于，与所述封装基板直接固定的芯片采用引线键合或倒装焊的方式与所述封装基板进行电连接。

8.根据权利要求2或3所述的三维混合信号芯片堆叠封装体，其特征在于，采用倒装焊的方式与所述封装基板电连接的芯片凸点处涂覆有底部填充胶。

9.一种三维混合信号芯片堆叠封装体的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤A：制作封装基板；

步骤B：在所述封装基板上封装最内层塑封层；

步骤C：在所述最内层塑封层上依次封装至少一层塑封层。

10.根据权利要求9所述的三维混合信号芯片堆叠封装体的制备方法，其特征在于，所述方法具体包括：

步骤A1：在封装基本上布线，并在屏蔽胶与所述封装基板的连接处设置一个以上导热孔，所述导热孔与所述封装基板内的金属层连接；

步骤B1：将至少一片芯片与所述封装基板电连接，并在所述封装基板上进行整体塑封，形成最内层塑封层；

步骤C1：在所述最内层塑封层外部涂覆屏蔽胶，利用所述屏蔽胶将至少一片芯片固定在所述最内层塑封层之上，并进行整体封装；根据设计需要重复该步骤，直至完成三维混合信号芯片堆叠封装体的制作。