[发明专利]镀膜装置

说明书

技术领域

本发明涉及镀膜技术，尤其涉及溅射镀膜及气相沉积镀膜装置。

背景技术

镀膜技术包括溅射镀膜及气相沉积镀膜。溅射镀膜利用高能粒子撞击金属靶材，使金属靶材表面的金属原子被轰炸飞溅出来，沉积到基板上形成金属薄膜。气相沉积镀膜是将用于给基板镀膜的固态的前驱物加热到一定的温度，使其气化为反应气体，再导入其它气体，使该两种气体发生反应并沉积在基板上形成的膜层。

在目前的镀膜制程中，当需要由溅射镀膜及气相沉积分别为基板镀膜时，要先将基板放入溅射镀膜设备进行溅射镀膜，再将基板从溅射镀膜设备中取出并放入气相沉积镀膜设备进行气相沉积镀膜。在基板由溅射镀膜设备搬运到气相沉积镀膜设备的过程中，基板很容易粘附上杂质，影响镀膜的品质。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种提高镀膜的品质的镀膜装置。

一种镀膜装置其包括一个外壳、一个反应装置及一个控制装置。该外壳的内壁开设有至少一个用于承靠待镀膜基板的基板槽。该反应装置包括一个外筒、一个内筒及至少一个导管。该外筒设置于该外壳内，该内筒设置于该外筒内，该外壳与该外筒之间形成一个主腔体，该外筒与该内筒之间形成一个用于容纳气相沉积气体的第一腔体，该内筒形成有一个用于收容溅射靶材的第二腔体。该外筒开设有至少一个第一通孔及至少一个第二通孔。该第一通孔连通该第一腔体与该主腔体以允许该第一腔体的气相沉积气体沉积在基板上。该内筒开设有至少一个第三通孔，每个导管连通对应的一个第二通孔与第三通孔，以将该第二腔体连通至该主腔体以允许该溅射靶材通过该至少一个导管溅射基板。该控制装置用于控制整个镀膜的过程。

与现有技术相比，本发明的镀膜装置包含了溅射镀膜装置及气相沉积镀膜装置，通过控制装置控制，基板进行溅射镀膜及气相沉积镀膜时均在同一个腔体中进行，免去基板在不同设备间搬运的过程，从而降低了基板粘附上杂质的几率提高了镀膜的品质。

附图说明

图1为本发明的较佳实施方式的镀膜装置的外壳及反应装置的立体分解示意图。

图2为图1的镀膜装置的外壳及反应装置的组装截面示意图。

图3为图1的镀膜装置的外壳的示意图。

图4的图1的镀膜装置的反应装置的分解示意图。

图5的图1的镀膜装置的反应装置去掉上盖后的示意图。

图6为图1的镀膜装置的控制装置与外接设备的连接示意图。

具体实施方式

请参考图1及图6，本发明较佳实施方式的镀膜装置10用于对多个待镀膜基板(图未示)进行镀膜。镀膜装置10具有一个中心轴101且包括一个外壳100、一个驱动装置200、一个反应装置300及一个控制装置400。

请参考图1至图3，外壳100包括壳体102及底盘104。壳体102及底盘104均关于中心轴101轴对称。壳体102包括一个上端板111、一个平行上端板111的下端板107(见图4)及多个连接上端板111与下端板107的侧板108。上端板111对应侧板108的边缘处间距均匀地开设有多个贯穿至侧板108的气孔105。每个侧板108的内壁上开设有一个用于承靠基板的基板槽110，每个基板槽110的形状与一个待镀膜的基板的形状相对应，并开设有一个连通到气孔105的吸附槽112。气孔105连通到一个真空吸附源501(图1中仅连接一个气孔105作表示)。如此，真空吸附源501可通过气孔105及吸附槽112利用真空吸附力将基板吸附在基板槽110中。下端板107开设有一个圆形开口115。底盘104密封开口115。

下端板107沿开口115的圆周设置有多个位于同一圆周上的滚轮114。底盘104朝壳体102的表面109中央开设有一个螺孔113及一个以螺孔113为圆心的圆形凹槽116。圆形凹槽116用于容置多个滚轮114在其中转动。驱动装置200连接壳体102的上端板111以驱动壳体102绕中心轴101相对于底盘104旋转。在本实施方式中，驱动装置200为马达。

请结合图1，图4及图5，反应装置300包括一个柱状的外筒302、一个圆筒状的内筒304及多个导管306。外筒302、内筒304及多个导管306均关于中心轴101轴对称。