[发明专利]由四氯化硅制取三氯氢硅的方法有效
| 申请号： | 200910310631.2 | 申请日： | 2009-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101700886A | 公开（公告）日： | 2010-05-05 |
| 发明（设计）人： | 唐前正;何劲;赵新征;卢涛;彭卡;李品贤 | 申请（专利权）人： | 乐山乐电天威硅业科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 武森涛 |
| 地址： | 614000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氯化 制取 三氯氢硅 方法 | ||
【权利要求书】：
1.由四氯化硅制取三氯氢硅的方法，其特征在于：在压力为0.3～0.6MPa的氢化炉内通入摩尔比为0.15～0.4∶1的四氯化硅和氢气于1000～1300℃进行反应；所述的四氯化硅和氢气在通入氢化炉前先在四氯化硅气化装置中混合均匀，其中，四氯化硅气化装置中的压力为0.5～1.3MPa，四氯化硅气化装置中的压力大于氢化炉内的压力，氢气和四氯化硅混合时，氢气通入四氯化硅气化装置的速度为1100～1500Nm3/h，四氯化硅通入四氯化硅气化装置的速度为2300～3500kg/h。
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