[发明专利]功率半导体芯片的无打线封装方法及其制成品

权利要求书

1.一种功率半导体芯片的无打线封装方法，其特征在于：该方法包括如下顺序步骤：

形成第一传导层的步骤：是于一载体上形成各自具有正、负极接合部的数个第一传导层；

芯片焊接的步骤：将数个半导体芯片的正、负电极各经由一传导件分别焊合于该正、负极接合部；

封装塑型的步骤：以封装材料填充于各半导体芯片周侧；

切割的步骤：于移除载体后，将各封装后的半导体芯片分别切割为个别单一颗粒。

2.如权利要求1所述的功率半导体芯片的无打线封装方法，其特征在于：所述封装塑型步骤实施前，先经结合反射层步骤，该结合反射层步骤是将一导线框架结合于该第一传导层上，该导线框架并于半导体芯片周侧形成一腔室。

3.如权利要求2所述的功率半导体芯片的无打线封装方法，其特征在于：所述腔室内周侧形成一光线的反射面。

4.如权利要求2所述的功率半导体芯片的无打线封装方法，其特征在于：所述封装塑型步骤完成后，再经由形成第二传导层步骤，该第二传导层步骤是至少于对应各半导体芯片的部位形成相吻合的第二传导层。

5.如权利要求3所述的功率半导体芯片的无打线封装方法，其特征在于：所述封装塑型步骤完成后，再经由形成第二传导层步骤，该第二传导层步骤是至少于对应各半导体芯片的部位形成相吻合的第二传导层。

6.如权利要求2所述的功率半导体芯片的无打线封装方法，其特征在于：所述结合反射层步骤完成后，再经由形成第二传导层步骤，该第二传导层步骤是于对应各半导体芯片与导线框架的部位形成相吻合的第二传导层。

7.如权利要求3所述的功率半导体芯片的无打线封装方法，其特征在于：所述结合反射层步骤完成后，再经由形成第二传导层步骤，该第二传导层步骤是于对应各半导体芯片与导线框架的部位形成相吻合的第二传导层。

8.如权利要求1或2或3或4或5或6或7所述的功率半导体芯片的无打线封装方法，其特征在于：所述第一传导层为导电层。

9.如权利要求1或2或3或4或5或6或7所述的功率半导体芯片的无打线封装方法，其特征在于：所述第一传导层利用镀层、蚀刻、机械加工或激光加工方式中的至少一种形成于该载体上。

10.一种功率半导体芯片的无打线封装制成品，其至少包括半导体芯片及固封体，该半导体芯片至少具有正、负二电极；该固封体以封装材料成型于该半导体芯片周侧；其特征在于：该制成品还包括第一传导层，该第一传导层至少具有正、负极接合部，该正、负极接合部分别与该半导体芯片的正、负电极形成电连接。

11.如权利要求10所述的功率半导体芯片的无打线封装制成品，其特征在于：所述半导体芯片的正、负二电极与第一传导层的正、负极接合部之间分别设有传导件。

12.如权利要求10或11所述的功率半导体芯片的无打线封装制成品，其特征在于：所述半导体芯片周侧设有一导线框架，且该导线框架于半导体芯片周侧形成一腔室。

13.如权利要求12所述的功率半导体芯片的无打线封装制成品，其特征在于：所述腔室内表侧设有反射面。

14.如权利要求13所述的功率半导体芯片的无打线封装制成品，其特征在于：所述反射面由临第一传导层的一侧向另一侧逐渐扩张延伸。

15.如权利要求13所述的功率半导体芯片的无打线封装制成品，其特征在于：所述反射面由临第一传导层的一侧向另一侧逐渐缩小延伸。

16.如权利要求10或11所述的功率半导体芯片的无打线封装制成品，其特征在于：所述半导体芯片临第一传导层的反侧另设有一第二传导层。

17.如权利要求10或11所述的功率半导体芯片的无打线封装制成品，其特征在于：所述第一传导层为导电层。

18.如权利要求10或11所述的功率半导体芯片的无打线封装制成品，其特征在于：所述封装材料为透光材质。

19.如权利要求18所述的功率半导体芯片的无打线封装制成品，其特征在于：所述第二传导层为导热层。