[发明专利]环氧树脂中空微针阵列的制备方法无效
| 申请号: | 200910308196.X | 申请日: | 2009-10-12 |
| 公开(公告)号: | CN101664579A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
| 发明(设计)人: | 蒋宏民;朱军;曹莹;杨君;陈翔 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
| 主分类号: | A61M37/00 | 分类号: | A61M37/00;A61B10/00;B81C5/00 |
| 代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址: | 200240上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 环氧树脂 中空 阵列 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及的是一种微型电子机械系统技术领域的制备方法,具体是一种环氧树脂中 空微针阵列的制备方法。
背景技术
中空微针具有充当微流体生物医学应用载体的特殊作用,一方面可以降低采样或给药 过程中的疼痛感,另一方面具有微量取样以及微量、缓释、精确给药的优势,已经成为 MEMS技术在生物医学领域极具应用潜力的关键技术之一。微型针的概念是20世纪70年代提 出来的。但是直到90年代才首次在实验室得到验证。初期的微型针是为了解决糖尿病患者 每天都需要注射药物所带来的痛苦而研发。由于传统的机械制作方法制作直径小于300μm 的针不仅困难,且难以批加工成阵列结构,而微细加工技术适宜制作结构复杂的微米尺度 的微针阵列。
经对现有技术的文献检索发现,2007年H HUANG在J.Micromech.Microeng(微机械与 微工程)(P393-402)发表了名为“Different fabrication methods of out-of-plane polymer hollow needle arrays and their variations”(异平面聚合物空心针阵列及其 衍生产品的各种制作方法)。利用背面曝光技术制作了带倾角的中空的异平面微针阵列。 该工艺较为简单,只用了一步曝光就得到了空心微针阵列。该法制作成微针的倾角的实现 较为特别,其外壁倾角的产生来源于菲涅耳衍射效应。H Huang等人对紫外光源入射光接 近式曝光的光强分布进行了理论计算,并且进行了具体的工艺制作,实验结果和理论计算 结果吻合较好,但是其侧壁倾角较小,这就使得微针的尖端不够尖锐,其所使用材料为 SU8胶,生物兼容性较差。
检索中还发现,Seong-o Choi等人在Proc.Solid State Sensors,Actuators and Microsystems Workshop(固态传感器,执行器和微系统研讨会)(2006年)上名为“3-D PATTERNED MICROSTRUCTURES USING INCLINED UV EXPOSURE AND METAL TRANSFER MICROMOLDING”(“采用倾斜紫外曝光和金属转移微模的三维微结构图形转移”)。利用 可旋转倾斜紫外光源曝光SU-8胶获得三维SU-8胶结构。通过两次PDMS(聚二甲基硅氧烷) 图形转移过程得到PDMS结构,然后在PMDS上沉积一层金,用高表面能的模板和模型接触去 除模型突出结构顶部的金,最后在去除顶部金的PDMS结构上填充聚合物及紫外固化,通过 脱模得到了表面覆盖金的聚合物微针。该方法所制的微针只是实心不是空心微针,不能与 微流控芯片集成实现采样或定量给药。
发明内容
本发明针对现有技术存在的上述不足,提供一种环氧树脂中空微针阵列的制备方法, 该微针的倾斜角度可调,降低设备要求成本,而且得到标准的各个方向力学特性均衡的三 维微针结构。
本发明是通过以下技术方案实现的,本发明采用倾斜旋转与传统光刻有机结合的方法 制备SU-8三维微结构,通过调整支架的高度,获得0-90度的支架倾角,然后在水平基板上 放置电机,由电机带动粘附在其上的基片自由旋转,并通过外加在电机上直流电压的控制 转速,将聚二甲基硅氧烷填充到SU-8三维微结构的模具中,脱模后得到中空微针阵列,在 中空微针阵列上溅射金属铬铜复合后再次填充聚二甲基硅氧烷,脱模后得到中空微针阵列 模具,在该模具上填充环氧树脂,然后将底部磨至聚二甲基硅氧烷后脱模,即可得到环氧 树脂空心微针阵列。
本发明包括以下步骤:
第一步,在玻璃基片上旋涂SU8胶,将基片倾斜,在倾斜基片和掩模版并设置微针的 顶角为基片和掩模版的倾斜角度的两倍,然后进行紫外光旋转曝光;
所述的旋转曝光是指:采用功率为3-5mW/cm2的紫外光,对基片和掩模版进行曝光,曝 光时间为25-40分钟,曝光的同时以200-300转/分钟的转速旋转基片和掩模版;
第二步,将基片和掩模版经热烘处理后在基片表面甩涂第二层SU8光刻胶,然后经热 烘处理后进行旋转曝光,最后经热烘处理后,显影得到SU8胶凹锥结构层;
所述的热烘处理是指:25℃至65℃升温25min,65℃保温30分钟,65℃升温至90℃ 25min,90℃保温50min,最后随炉冷却。
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