[发明专利]CVD金刚石薄膜探测器制作工艺

权利要求书

1.一种CVD金刚石薄膜探测器制作工艺，其特征在于：包括以下步骤：

1]配件制备及清洗：

加工金属壳体、螺丝、聚四氟乙烯配件，取CVD金刚石薄膜，分别清洗，干燥备用，

所述聚四氟乙烯配件包括聚四氟乙烯压圈（3）、聚四氟乙烯底座（4）和聚四氟乙烯环形套（5）；

2]预镀金层：

对CVD金刚石薄膜两面与金属壳体接触的部位分别蒸镀金层；

3]探测器封装：

3.1】将金属壳体（2）与聚四氟乙烯底座（4）配合起来；

3.2】在金属壳体（2）、聚四氟乙烯底座（4）与CVD金刚石薄膜（1）所形成的缝隙处填充绝缘胶（7）；

3.3】将CVD金刚石薄膜放在填好胶的金属壳体与聚四氟乙烯底座所组成的配合体上，使得金属壳体接触到CVD金刚石薄膜；

3.4】将与CVD金刚石薄膜（1）另一面接触的金属壳体（2）与聚四氟乙烯压圈（3）配合，在接触缝隙处填充绝缘胶（7）后将其慢慢放置在CVD金刚石薄膜（1）的另一面上；

3.5】用螺丝（6）固定金属壳体和聚四氟乙烯；

3.6】在探测器侧面套上聚四氟乙烯环形套（5）；

4]探测器两面整体镀金：

将封装好的CVD金刚石薄膜探测器两面整体蒸镀金层(8)并干燥，所述的探测器两面是指CVD金刚石薄膜两面预镀金层所在的探测器两面。

2.根据权利要求1所述的CVD金刚石薄膜探测器制作工艺，其特征在于：其还包括探测器电接触老化步骤：

整体蒸镀金层并干燥后的CVD金刚石薄膜探测器在100～1000V偏压范围内，每隔50～100V，加电压保持1～2小时。

3.根据权利要求1或2所述的CVD金刚石薄膜探测器制作工艺，其特征在于：所述配件制备及清洗还包括以下步骤： 

清洗金属壳体和螺丝之前先电镀金层。

4.根据权利要求3所述的CVD金刚石薄膜探测器制作工艺，其特征在于：所述对CVD金刚石薄膜两面上可与金属壳体接触部位分别蒸镀金层的具体步骤如下：

将CVD金刚石薄膜置于真空度为0.5～1×10^-3Pa、衬底温度为160～240℃的真空蒸镀装置内，对清洗干净的CVD金刚石薄膜两面上可与金属壳体接触的环形部位分别蒸镀金层，金层厚度为100～200nm。

5.根据权利要求3所述的CVD金刚石薄膜探测器制作工艺，其特征在于：

所述将封装好的探测器两面整体蒸镀金层的具体步骤如下：

将封装好的探测器再次置于真空度为0.5～1×10^-3Pa，温度为160～240℃的真空蒸镀装置内，对探测器两面整体蒸镀金层，金层厚度10～50nm。