[发明专利]黄光发光二极管及发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种黄光发光二极管，以及具有该种黄光发光二极管的发光装置。

背景技术

与传统光源相比，发光二极管具有无汞、体积小、光学特性佳等优点。随着发光二极管发光效率的不断提升，越来越多的发光二极管被作为光源而采用。

目前常用的黄光二极管通常为磷化铟镓铝(Al_xIn_yGa_zP)发光二极管，该种黄光发光二极管的发光波长通常为560～590纳米。然而，磷化铟镓铝(Al_xIn_yGa_zP)发光二极管晶粒的制造过程中，由于铝、铟元素的掺杂，使得晶粒发光层的晶格与其他磊晶层和基板的晶格均不匹配，从而产生大量晶格缺陷，进而导致磷化铟镓铝(Al_xIn_yGa_zP)发光二极管晶粒的发光效率低下。另外，由于磷化铟镓铝(Al_xIn_yGa_zP)材料的耐高温性能较差，环境温度的变化使得磷化铟镓铝(Al_xIn_yGa_zP)发光二极管晶粒的色彩会发生较大偏移且发光效率较低，使得采用磷化铟镓铝(Al_xIn_yGa_zP)发光二极管晶粒的发光装置的演色性较差。

有鉴于此，有必要提供一种色彩偏移小且发光效率高的黄光发光二极管。

发明内容

下面将以具体实施例说明一种色彩偏移小且发光效率高的黄光发光二极管

一种黄光发光二极管，其包括一个基座，一个发光二极管晶粒，一个荧光粉层以及一个封装体，该发光二极管晶粒为氮化铟镓铝发光二极管晶粒且设置在该基座上；该荧光粉层的材质为钇铝石榴石荧光粉，其分布在发光二极管晶粒出光路径上且其厚度大于250微米；该封装体包覆该发光二极管晶粒及荧光粉层。

一种发光装置，其包括多个如上所述的黄光发光二极管以及多个蓝光发光二极管，该蓝光发光二极管与黄光发光二极管的数量比为2∶3。

一种发光装置，其包括多个如上所述的黄光发光二极管、多个蓝光发光二极管以及至少一个红光发光二极管，该蓝光发光二极管、黄光发光二极管及红光发光二极管的数量比为2∶2∶1。

一种发光装置，其包括多个如上所述的黄光发光二极管、多个蓝光发光二极管、至少一个红光发光二极管以及至少一个绿光发光二极管，该黄光发光二极管、蓝光发光二极管、红光发光二极管及绿光发光二极管的数量比为2∶2∶1∶1。

与现有技术相比，本发明所提供的黄光发光二极管，其采用的氮化铟镓铝发光二极管晶粒具有较低的热敏感度，从而黄光发光二极管不会因为热效应而发生较大的色彩偏移；其采用的钇铝石榴石荧光粉层的黄光转换效率高，从而黄光发光二极管具有较高的发光效率。

附图说明

图1是本发明第一实施例所提供黄光发光二极管的结构示意图。

图2是本发明第二实施例所提供黄光发光二极管的结构示意图。

图3是本发明第三实施例所提供黄光发光二极管的结构示意图。

图4是本发明第四实施例所提供发光装置的各色发光二极管排列结构示意图。

图5是本发明第五实施例所提供发光装置的各色发光二极管排列结构示意图。

图6是本发明第六实施例所提供发光装置的各色发光二极管排列结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明实施例作进一步详细说明。

参见图1，本发第一明实施例提供的黄光发光二极管10，其包括基座11，发光二极管晶粒12，荧光粉层13以及封装体14。

该基座11可进一步包括用于收容发光二极管晶粒12的反射杯110，用于将入射至其上的光线反射向封装体14。本实施例中，反射杯110包括用于收容发光二极管晶粒12的收容空间，该收容空间呈倒置的圆锥状。

该发光二极管晶粒12为氮化铟镓铝(In_xGa_yAl_zN)发光二极管晶粒，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1。该发光二极管晶粒12设置在基座11上，并位于反射杯110的收容空间底部。该发光二极管晶粒12用于发出波长位于紫外光波段至绿光波段的光。优选的，该发光二极管晶粒12的发光波长为260～500纳米；更优选的，该发光二极管晶粒12的发光波长为380～480纳米。