[发明专利]黄光发光二极管及发光装置无效
| 申请号： | 200910301732.3 | 申请日： | 2009-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101872819A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 阿久津仲男;赖志铭 | 申请（专利权）人： | 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L25/075 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600 上海市松江区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 发光 装置 | ||
1.一种黄光发光二极管，包括：
一个基座；
一个设置在该基座上的发光二极管晶粒，该发光二极管晶粒为氮化铟镓铝发光二极管晶粒；
一个位于发光二极管晶粒出光路径上的荧光粉层，该荧光粉层的材质为钇铝石榴石荧光粉且该荧光粉层的厚度大于250微米；
一个封装体，该封装体包覆该发光二极管晶粒及荧光粉层。
2.如权利要求1所述的黄光发光二极管，其特征在于，该基底包括用于收容发光二极管晶粒的反射杯，该反射杯包括呈倒置圆锥状的收容空间，该发光二极管晶粒设置在反射杯收容空间的底部，该荧光粉层设置在反射杯的顶端开口处，该荧光粉层与收容空间的底部表面平行，并遮盖该反射杯的顶端开口。
3.如权利要求1所述的黄光发光二极管，其特征在于，该封装体包括用于将其内部的光输出至外界的出光面，该基底包括用于收容发光二极管晶粒的反射杯，该反射杯包括用于收容发光二极管晶粒的收容空间，该发光二极管晶粒设置在反射杯收容空间的底部，该荧光粉层设置在反射杯的顶端开口处，该荧光粉层与封装体的出光面平行并遮盖该反射杯的顶端开口。
4.如权利要求1所述的黄光发光二极管，其特征在于，该荧光粉层任一处的厚度大于400微米。
5.如权利要求1所述的黄光发光二极管，其特征在于，该钇铝石榴石荧光粉的光转换波长范围为560～590纳米。
6.如权利要求1所述的黄光发光二极管，其特征在于，该氮化铟镓铝发光二极管晶粒的发光波长范围260～500纳米。
7.如权利要求6所述的黄光发光二极管，其特征在于，该氮化铟镓铝发光二极管晶粒的发光波长范围380～480纳米。
8.一种发光装置，包括多个如权利要求1至7任一项所述的黄光发光二极管，以及多个蓝光发光二极管，该蓝光发光二极管与黄光发光二极管的数量比为2∶3。
9.如权利要求8所述的发光装置，其特征在于，该蓝光发光二极管的发光波长范围为420～480纳米。
10.如权利要求8所述的发光装置，其特征在于，该发光装置还包括至少一个红光发光二极管，该蓝光发光二极管、黄光发光二极管及红光发光二极管的数量比为2∶2∶1。
11.如权利要求10所述的发光装置，其特征在于，该发光装置还包括至少一个绿光发光二极管，该蓝光发光二极管、黄光发光二极管、红光发光二极管及绿光发光二极管的数量比为2∶2∶1∶1。
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