[发明专利]晶片表面的激光打标方法无效
| 申请号: | 200910300654.5 | 申请日: | 2009-03-03 |
| 公开(公告)号: | CN101533771A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
| 发明(设计)人: | 郑光;王喜 | 申请(专利权)人: | 浙江水晶光电科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;B23K26/00;H01L23/544 |
| 代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人: | 尉伟敏 |
| 地址: | 318015浙江省台州市椒*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶片 表面 激光 方法 | ||
【权利要求1】一种晶片表面的激光打标方法,主要是利用激光打标机在晶片的表面上烧蚀出具有立体感的标记,其特征在于包括如下次序步骤:
制作打标片,打标片的基体是可透过激光的玻璃片,在该玻璃片的单侧表面上形成有一定厚度的金属膜层,激光照射到该金属膜层上会被该金属膜层阻挡住并聚积,该金属膜层的厚度应保证能被激光打标机所发出的激光所融透;
打标片与晶片表面的贴合,使打标片上的金属膜层表面与晶片表面上需要打标的位置贴合在一起;
激光打标,利用激光打标机从打标片没有金属膜层的表面一侧向晶片上需要打标的位置处发射激光,所发射的激光被金属膜层阻挡住而在金属膜层处聚积,聚积的激光会使金属膜层融透,以烧蚀晶片表面,在晶片表面上形成标记。
【权利要求2】根据权利要求1所述的晶片表面的激光打标方法,其特征在于,所述金属膜层的厚度为100至500nm。
【权利要求3】根据权利要求2所述的晶片表面的激光打标方法,其特征在于,所述的金属膜层被制成300±50nm厚度。
【权利要求4】根据权利要求1或2或3所述的晶片表面的激光打标方法,其特征在于,所述金属膜层的材料包括铬、铝、铜或锡中的一种或几种。
【权利要求5】根据权利要求4所述的晶片表面的激光打标方法,其特征在于,所述金属膜层的材料包括铬氧化物、铝氧化物、铜氧化物或锡氧化物中的一种或几种。
【权利要求6】根据权利要求4所述的晶片表面的激光打标方法,其特征在于,所述金属膜层是通过固体升华的方法而形成的。
【权利要求7】根据权利要求1或2或3所述的晶片表面的激光打标方法,其特征在于,所述打标片基体选用0.2至1.5mm厚度的玻璃片。
【权利要求8】根据权利要求1或2或3所述的晶片表面的激光打标方法,其特征在于,所述激光打标机上具有对激光进行聚焦的装置,在激光打标机发射出激光后,根据打标片基体的厚度通过操作激光打标机上的聚焦装置对该发出的激光进行聚焦操作。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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