[发明专利]晶片清洗装置及晶片清洗方式

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶片清洗装置和清洗方式，尤其是涉及一种使用不同流速的清洗液来分别冲洗晶片中心和晶片外围的清洗装置和清洗方式。

背景技术

半导体装置是由半导体晶片经历数个处理操作而制得。这些操作包含有诸如掺杂植入、栅极氧化物产生、层间介电层形成、金属化沉积、线路图案化、蚀刻操作、化学机械化研磨(CMP)等等。通常在化学机械化研磨、蚀刻、或光致抗蚀剂显影之后，晶片表面会有残留物余留，如化学液体成分或是化学聚合物，因此，为了保持晶片表面的清洁，需要适当地对晶片施予洗净处理。通常是利用液体喷洒装置，使用一冲洗液体，如特定的洗净液或是去离子水进行冲洗处理的程序，以移除停留在晶片上的化学液体成分或是化学聚合物，并且经由旋转将晶片表面的残留物和冲洗液体甩离晶片表面。

现有晶片清洗装置包含有一壳体内含液体喷洒设备，一液体供给系统内含多个输送线以及设于其下侧的多个直线型喷嘴(straight nozzle)，一驱动装置用来带动喷洒运动。然而，现有清洗装置一面旋转晶片且一面从直线型喷嘴供给清洗液以进行洗净的方法中，会使位于外围的晶片表面上的清洗液产生乱流，造成于晶片中心被洗净去除的物质残留在外围的晶片表面上的问题，并且于晶片外围产缺陷或是水痕。

因此导致该清洗制作工艺的效果大打折扣，势必连带影响到后续各项制作工艺的合格率，是以如何完全洗净晶片，避免残留物以及缺陷和水痕，实为一刻不容缓的重要课题。

发明内容

根据本发明的一较佳实施例，本发明提供一种晶片清洗装置，包含：一平台，用以承载一晶片，晶片具有一待洗表面、一第一喷嘴设于晶片的上方，前述的第一喷嘴与晶片的待洗表面之间具有一第一高度以及一第二喷嘴设于晶片的上方，第二喷嘴与晶片的待洗表面之间具有一第二高度，其中第一高度小于第二高度。

根据本发明的另一较佳实施例，本发明提供一种晶片清洗装置，包含：一平台，用以承载一晶片以及一喷嘴设于晶片的上方，前述的喷嘴包含多个开口，其中各该开口和前述的晶片的一待洗表面的距离随着各该开口相对于晶片的位置而改变。

根据本发明的又一较佳实施例，本发明提供一种晶片清洗方式：首先提供一晶片包含一待洗表面和至少一喷嘴位于晶片上方，然后旋转晶片，并且通过喷嘴喷洒一清洗液冲洗前述的待洗表面，喷嘴具有一喷洒参数，喷洒参数为喷嘴相对于晶片的位置的函数。

根据本发明的再一较佳实施例，本发明提供一种晶片清洗方式：一种晶片清洗方式：首先，提供一晶片包含一待洗表面和一喷嘴包含多个开口位于晶片上方以及旋转晶片，并且通过各该开口各喷洒一清洗液冲洗待洗表面，各该开口各具有一喷洒参数，喷洒参数为各该开口相对于该晶片的位置的函数。

本发明的特点在于喷嘴具有一喷洒参数，此喷洒参数为喷嘴相对于晶片的位置的函数或是喷嘴上的开口相对于晶片的位置的函数，举例而言，当喷嘴在水平方向的位置不同时，由各个喷嘴喷出的清洗液的流速、清洗液的种类、清洗液和气体混合的比例和清洗液的浓度其中之一会不相同。例如，当晶片进入清洗时，晶片中心和晶片边缘所接受到喷嘴喷出清洗液，其流速不同，则清洗液在冲洗残留物之后，可较顺利地连同残留物一起离开晶片表面。

附图说明

图1为本发明的第一较佳实施例绘示的晶片清洗装置；

第图2a、图2b、图3a、图3b为晶片旋转方向及清洗液冲洗方式的上视图；

图4为本发明的第二较佳实施例绘示的晶片清洗装置；

图5为本发明的第二实施例的变化型示意图。

主要元件符号说明

10、100  晶片清洗装置               12、112  壳体

14、114  内舱                       16、116  平台

18、118  晶片                20、120     待洗表面

22       第一输送管          24          第一喷嘴

26       第二输送管          28          第二喷嘴

30       第一清洗液          32          第二清洗液

34       预定方向            36、136     气体

38       支架                122         输送管

124      喷嘴                150、152、  开口

                             154、156、