[发明专利]晶片清洗装置及晶片清洗方式

权利要求书

1.一种晶片清洗装置，包含：

平台，用以承载晶片，该晶片具有待洗表面；

第一喷嘴设于该晶片的上方，该第一喷嘴与该晶片的该待洗表面之间具有第一高度；以及

第二喷嘴设于该晶片的上方，该第二喷嘴与该晶片的该待洗表面之间具有第二高度，其中该第一高度小于该第二高度。

2.如权利要求1所述的晶片清洗装置，其中由该第一喷嘴喷出的第一清洗液在该晶片的该待洗表面上方形成第一喷洒面积，且由该第二喷嘴喷出的第二清洗液在该晶片的该待洗表面上方形成第二喷洒面积。

3.如权利要求2所述的晶片清洗装置，其中该待洗表面上具有一给定点，并且该晶片向一预定方向旋转。

4.如权利要求3所述的晶片清洗装置，其中该预定方向选自顺时针方向和逆时针方向。

5.如权利要求3所述的晶片清洗装置，其中当该晶片向该预定方向旋转时，该给定点先经过该第一喷洒面积，再经过该第二喷洒面积。

6.如权利要求2所述的晶片清洗装置，其中该第一喷洒面积和该第二喷洒面积为交错。

7.如权利要求2所述的晶片清洗装置，其中该第一喷洒面积的大小可调整。

8.如权利要求2所述的晶片清洗装置，其中该第二喷洒面积的大小可调整。

9.如权利要求2所述的晶片清洗装置，其中该第一清洗液的流速较该第二清洗液的流速大0.1公升/分钟。

10.如权利要求2所述的晶片清洗装置，其中该第一清洗液和该第二清洗液为相同的清洗液。

11.如权利要求1所述的晶片清洗装置，其中该第一高度较该第二高度小1公分。

12.如权利要求1所述的晶片清洗装置，其中该待洗表面选自晶片的正面和晶片的背面。

13.一种晶片清洗装置，包含：

平台，用以承载晶片；以及

喷嘴设于该晶片的上方，该喷嘴包含多个开口，其中各该开口和该晶片的待洗表面的高度随着各该开口相对于该晶片的位置而改变。

14.如权利要求13所述的晶片清洗装置，其中至少一各该开口与其相邻的二各该开口分别具有第一间距和第二间距，其中该第一间距和该第二间距不同。

15.如权利要求13所述的晶片清洗装置，其中各该开口所喷出的清洗液不同。

16.如权利要求13所述的晶片清洗装置，其中由各该开口所喷出的清洗液，分别形成喷洒面积，各该喷洒面积共同覆盖该晶片的直径。

17.如权利要求13所述的晶片清洗装置，其中由各该开口所喷出的清洗液，分别形成喷洒面积，各该喷洒面积共同覆盖该晶片的半径。

18.如权利要求13所述的晶片清洗装置，另包含多个该喷嘴设于该晶片的上方。

19.如权利要求13所述的晶片清洗装置，其中该待洗表面选自晶片的正面和晶片的背面。

20.如权利要求13所述的晶片清洗装置，其中该待洗表面选自化学机械研磨制作工艺后的表面、蚀刻制作工艺后的表面和光致抗蚀剂显影制作工艺之后的表面。

21.一种晶片清洗方式，包含：

提供一晶片，其包含待洗表面和至少一喷嘴位于该晶片上方；

旋转该晶片，并且通过该喷嘴喷洒一清洗液冲洗该待洗表面，该喷嘴具有喷洒参数，该喷洒参数为该喷嘴相对于晶片的位置的函数。

22.如权利要求21所述的晶片清洗方式，其中该清洗液在喷洒之前，至少和一气体混合。

23.如权利要求22所述的晶片清洗方式，其中该喷洒参数选自下列群组：该喷嘴和该待洗表面之间的距离、该清洗液的流速、该清洗液的种类、该清洗液和该气体混合的比例和该清洗液的浓度。

24.如权利要求21所述的晶片清洗方式，其中该晶片清洗方式是在化学机械研磨制作工艺后、蚀刻制作工艺后的表面或光致抗蚀剂显影制作工艺之后进行。