[发明专利]一种减少太阳能单晶硅热场系统能耗的方法及热场系统无效

专利信息
申请号: 200910264837.6 申请日: 2009-12-24
公开(公告)号: CN102108546A 公开(公告)日: 2011-06-29
发明(设计)人: 唐旭辉 申请(专利权)人: 江苏聚能硅业有限公司
主分类号: C30B15/14 分类号: C30B15/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215200 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 减少 太阳能 单晶硅 系统 能耗 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及单晶硅制造领域,特别涉及一种减少太阳能单晶硅热场系统能耗的方法及热场系统。

背景技术

硅(Si)是一种半导体元素,太阳能硅电池片利用硅的特性,在硅表面形成光伏特效应,产生电能。为制备太阳能电池片,需要将单晶硅原料重熔后定向凝固,然后切片做成电池片组件。为实现单晶硅的定向长晶凝固过程,需要一个能稳定长晶的热场系统,该热场系统包括上炉室、位于中部的加热器以及下炉室,所述上下炉室主要起保温隔热的作用,所述加热器主要是提供热场系统升温所需要的热能。

在上述的传统热场系统中,其缺点是所述系统内部的供热效果还不能令人满意,以及所述上下炉室的保温隔热性能较差,这就导致了热场系统能耗很高,造成了浪费。

发明内容

本发明的目的是提供一种减少太阳能单晶硅热场系统能耗的方法及热场系统,可很好的实现供热和保温,降低了系统的能耗。

一方面,本发明提供一种用于太阳能单晶硅制造的热场系统,包括上炉室、位于中部的加热器以及下炉室,所述下炉室的保温筒的内底层设置有反射板,所述反射板的正面朝向所述加热器的中心。

所述反射板的下方设置一石墨压板和石墨支柱,所述石墨支柱位于所述石墨压板上并支撑所述反射板。

所述反射板的厚度为10mm,所述石墨支柱数量为4个,高度均为110mm,在所述石墨压板上均匀分布并支撑所述反射板。

所述下炉室的保温筒的内底层还设置有碳毡,所述碳毡位于所述石墨压板下方并在所述保温筒的内底层均匀分布。

所述下炉室的保温筒的外底层也设置有均匀分布的碳毡。

所述下炉室的保温筒的内外底层的碳毡均为3层,每层厚度为10mm。

另一方面,本发明还提供一种减少太阳能单晶硅热场系统能耗的方法,所述热场系统包括上炉室、位于中部的加热器以及下炉室,包括以下步骤:

7.1、在所述下炉室的保温筒的内底层设置一反射板,并使所述反射板的正面朝向所述加热器的中心;

7.2、在所述下炉室的保温筒的内底层铺垫碳毡,并使其均匀分布;

7.3、在所述下炉室的保温筒的外底层铺垫碳毡,并使其均匀分布。

所述步骤7.1进一步包括以下步骤:在所述反射板的下方设置一石墨压板和石墨支柱,使所述石墨支柱位于所述石墨压板上并支撑所述反射板。

所述反射板的厚度为10mm,所述石墨支柱数量为4个,高度均为110mm,在所述石墨压板上均匀分布并支撑所述反射板。

所述步骤7.2和步骤7.3中设置在保温筒的内外底层的碳毡均为3层,每层厚度为10mm。

采用本发明所述的一种减少太阳能单晶硅热场系统能耗的方法及热场系统,所述热场系统的下炉室的保温筒内底层设置有正面朝向加热器中心的反射板,这样可以促进热能的集中使用;另外,下炉室的保温筒的内底层和外地层均铺垫有均匀分布的碳毡,可促进炉室的保温,降低了热场系统的能耗。

附图说明

图1为本发明所述的热场系统的结构图;

图2为本发明所述方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例进一步说明本发明的技术方案。

参见图1,图1显示了一种用于太阳能单晶硅制造的热场系统100,包括上炉室110、位于中部的加热器120以及下炉室130,所述下炉室130的保温筒的内底层设置有厚度为10mm的反射板131,所述反射板131的正面朝向所述加热器120的中心,反射板131的作用是增加底部热量的反射,使加热器120底部的热量尽可能的向加热器120中部集中。所述反射板131的下方设置一石墨压板133和4个石墨支柱132,所述4个石墨支柱132高度均为110mm,在所述石墨压板133上均匀分布并支撑所述反射板131。

另外,所述下炉室130的保温筒的内底层和外底层还设置有碳毡(图中未显示),用来增强整个系统的热保温,减少热量的散失。在保温筒的内底层上,所述碳毡位于所述石墨压板133下方并在所述保温筒的内底层均匀分布。所述下炉室130的保温筒的内外底层的碳毡均为3层,每层厚度为10mm。

参见图2,图2显示了一种减少太阳能单晶硅热场系统能耗的方法200,所述热场系统包括上炉室、位于中部的加热器以及下炉室,包括以下步骤:

201、在所述下炉室的保温筒的内底层设置一反射板,并使所述反射板的正面朝向所述加热器的中心。

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