[发明专利]一种减少太阳能单晶硅热场系统能耗的方法及热场系统无效

专利信息
申请号: 200910264837.6 申请日: 2009-12-24
公开(公告)号: CN102108546A 公开(公告)日: 2011-06-29
发明(设计)人: 唐旭辉 申请(专利权)人: 江苏聚能硅业有限公司
主分类号: C30B15/14 分类号: C30B15/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215200 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 减少 太阳能 单晶硅 系统 能耗 方法
【权利要求书】:

1.一种用于太阳能单晶硅制造的热场系统,包括上炉室、位于中部的加热器以及下炉室,其特征在于,所述下炉室的保温筒的内底层设置有反射板,所述反射板的正面朝向所述加热器的中心。

2.如权利要求1所述的热场系统,其特征在于,所述反射板的下方设置一石墨压板和石墨支柱,所述石墨支柱位于所述石墨压板上并支撑所述反射板。

3.如权利要求2所述的热场系统,其特征在于,所述反射板的厚度为10mm,所述石墨支柱数量为4个,高度均为110mm,在所述石墨压板上均匀分布并支撑所述反射板。

4.如权利要求1至3任一项所述的热场系统,其特征在于,所述下炉室的保温筒的内底层还设置有碳毡,所述碳毡位于所述石墨压板下方并在所述保温筒的内底层均匀分布。

5.如权利要求4所述的热场系统,其特征在于,所述下炉室的保温筒的外底层也设置有均匀分布的碳毡。

6.如权利要求5所述的热场系统,其特征在于,所述下炉室的保温筒的内外底层的碳毡均为3层,每层厚度为10mm。

7.一种减少太阳能单晶硅热场系统能耗的方法,所述热场系统包括上炉室、位于中部的加热器以及下炉室,其特征在于,包括以下步骤:

7.1、在所述下炉室的保温筒的内底层设置一反射板,并使所述反射板的正面朝向所述加热器的中心;

7.2、在所述下炉室的保温筒的内底层铺垫碳毡,并使其均匀分布;

7.3、在所述下炉室的保温筒的外底层铺垫碳毡,并使其均匀分布。

8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述步骤7.1进一步包括以下步骤:在所述反射板的下方设置一石墨压板和石墨支柱,使所述石墨支柱位于所述石墨压板上并支撑所述反射板。

9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述反射板的厚度为10mm,所述石墨支柱数量为4个,高度均为110mm,在所述石墨压板上均匀分布并支撑所述反射板。

10.如权利要求7至9任一项所述的方法,其特征在于,所述步骤7.2和步骤7.3中设置在保温筒的内外底层的碳毡均为3层,每层厚度为10mm。

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