[发明专利]一种减少太阳能单晶硅热场系统能耗的方法及热场系统无效
申请号: | 200910264837.6 | 申请日: | 2009-12-24 |
公开(公告)号: | CN102108546A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 唐旭辉 | 申请(专利权)人: | 江苏聚能硅业有限公司 |
主分类号: | C30B15/14 | 分类号: | C30B15/14 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215200 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 减少 太阳能 单晶硅 系统 能耗 方法 | ||
1.一种用于太阳能单晶硅制造的热场系统,包括上炉室、位于中部的加热器以及下炉室,其特征在于,所述下炉室的保温筒的内底层设置有反射板,所述反射板的正面朝向所述加热器的中心。
2.如权利要求1所述的热场系统,其特征在于,所述反射板的下方设置一石墨压板和石墨支柱,所述石墨支柱位于所述石墨压板上并支撑所述反射板。
3.如权利要求2所述的热场系统,其特征在于,所述反射板的厚度为10mm,所述石墨支柱数量为4个,高度均为110mm,在所述石墨压板上均匀分布并支撑所述反射板。
4.如权利要求1至3任一项所述的热场系统,其特征在于,所述下炉室的保温筒的内底层还设置有碳毡,所述碳毡位于所述石墨压板下方并在所述保温筒的内底层均匀分布。
5.如权利要求4所述的热场系统,其特征在于,所述下炉室的保温筒的外底层也设置有均匀分布的碳毡。
6.如权利要求5所述的热场系统,其特征在于,所述下炉室的保温筒的内外底层的碳毡均为3层,每层厚度为10mm。
7.一种减少太阳能单晶硅热场系统能耗的方法,所述热场系统包括上炉室、位于中部的加热器以及下炉室,其特征在于,包括以下步骤:
7.1、在所述下炉室的保温筒的内底层设置一反射板,并使所述反射板的正面朝向所述加热器的中心;
7.2、在所述下炉室的保温筒的内底层铺垫碳毡,并使其均匀分布;
7.3、在所述下炉室的保温筒的外底层铺垫碳毡,并使其均匀分布。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述步骤7.1进一步包括以下步骤:在所述反射板的下方设置一石墨压板和石墨支柱,使所述石墨支柱位于所述石墨压板上并支撑所述反射板。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述反射板的厚度为10mm,所述石墨支柱数量为4个,高度均为110mm,在所述石墨压板上均匀分布并支撑所述反射板。
10.如权利要求7至9任一项所述的方法,其特征在于,所述步骤7.2和步骤7.3中设置在保温筒的内外底层的碳毡均为3层,每层厚度为10mm。
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