[发明专利]具电压异常保护的储存装置及其操作方法无效
申请号: | 200910264744.3 | 申请日: | 2009-12-23 |
公开(公告)号: | CN102110027A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 赵浩博;李忠勋 | 申请(专利权)人: | 威刚科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | G06F11/00 | 分类号: | G06F11/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215125 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 异常 保护 储存 装置 及其 操作方法 | ||
技术领域
本发明系有关一种存储装置及其操作方法,特别是一种具电压异常保护的存储装置及其操作方法。
发明背景
非挥发性记忆体顾名思义为存储数据不会随工作电源消失而消失的记忆体,其中闪存为一常用的非挥发性记忆体,闪存具有省电、耐震与存取速度快等优点,因而广泛的被应用在电子装置的存储单元,取代部分的传统硬盘。
非挥发性记忆体存储装置接收外部电压,将外部电压转换为存储装置所需之工作电压,以提供存储装置正常工作。存储装置中的控制器,用以接收连接于存储装置的主机所传送之指令,再根据该指令对存储装置传送相关的控制命令,藉此由存储装置存取主机所需的相关数据。
当存储装置正常工作时,若突然发生外部电压异常,例如:断电的情况,此时将产生正在烧录(或抹除)的记忆页烧录(或抹除)不完整的情形,并可能对存储装置导致不良的影响,举例说明如下:
1.造成数据的损毁。
2.由于记忆体架构的关系(例如:记忆页对(paired page)),使得原本已存储在记忆体中的数据,因不完整的烧录(或抹除)动作而损毁。
3.由于烧录(或抹除)不完整,将产生潜在不可靠的记忆页,使后续无法正常使用该些记忆页。
4.管理数据损毁,造成存储装置无法正常继续工作。
因此,如何解决因电压异常而对非挥发性记忆体存储装置所造成的不良影响,进而提出当非挥发性记忆体存储装置遇到电压异常情况时的较佳处理机制,为一亟待解决的议题。
发明内容
有鉴于此本发明提出一种具电压异常保护的存储装置及其操作方法。利用本发明所提出的装置或方法,可克服电压异常对非挥发性记忆体存储装置所造成的不良影响,进而提高非挥发性记忆体存储装置的可靠度。
本发明提出一种具电压异常保护的存储装置包含:非挥发性记忆体、控制单元、电源供应单元及电源侦测单元。非挥发性记忆体用以存储数据。控制单元耦接非挥发性记忆体,存取非挥发性记忆体。电源供应单元接收外部电压,依据外部电压提供工作电压予非挥发性记忆体与控制单元。电源侦测单元耦接控制单元,侦测外部电压,当外部电压低于门槛值时,传送通知信号至控制单元,使控制单元停止存取非挥发性记忆体。
本发明亦提出一种存储装置之操作方法,其中存储装置包含非挥发性记忆体与控制单元,该操作方法包含下列步骤:接收外部电压;依据外部电压,提供工作电压予非挥发性记忆体与控制单元;侦测外部电压;当外部电压低于门槛值时,传送通知信号至控制单元,使控制单元停止存取非挥发性记忆体。
有关本发明的较佳实施例及其功效,兹配合图式说明如后。
附图说明
图1:具电压异常保护的存储装置之一实施例示意图
图2:存储装置之操作时序示意图
图3:存储装置之操作方法流程图
具体实施方式
请参照图1,该图所示为具电压异常保护的存储装置之一实施例示意图。本发明所提出之存储装置1包含:非挥发性记忆体10、控制单元20、电源供应单元30及电源侦测单元40。
存储装置1可连接于外部主机,如:计算机系统(图中未示),用以接收外部主机传送的指令或数据,再透过耦接于非挥发性记忆体10的控制单元20而存取非挥发性记忆体10。
电源供应单元30接收外部电压,依据外部电压提供工作电压给予非挥发性记忆体10与控制单元20。其中,电源供应单元30可包含电压转换电路及/或电压稳压电路,当电源供应单元30接收外部电压,一实施例为5伏特,可经由直流转直流(DC-to-DC)转换电路,再经稳压电路而提供一稳定的工作电压,一实施例为3.3伏特,使控制单元20与非挥发性记忆体10能正常工作。
电源侦测单元40可设于外部电压与电源供应单元30之间,且电性连接控制单元20。当电源侦测单元40侦测到外部电压降低至门槛值时,电源侦测单元40即传达通知信号至控制单元20,使控制单元20停止工作。其中,通知信号可为控制单元重置(Reset)信号或记忆体忙碌(Busy)信号,使控制单元20停止存取非挥发性记忆体10。于此,利用重置信号或忙碌信号使控制单元20停止存取非挥发性记忆体仅为实施例之说明,不为本案之限制,熟知本技术领域者可轻易了解而采用其它方式使控制单元20停止存取非挥发性记忆体10。
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