[发明专利]具电压异常保护的储存装置及其操作方法

权利要求书

1.一种具电压异常保护的存储装置，其特征是，该存储装置包含：

至少一非挥发性记忆体，用以存储数据；

一控制单元，耦接该非挥发性记忆体，存取该非挥发性记忆体；

一电源供应单元，接收一外部电压，依据该外部电压提供一工作电压予该非挥发性记忆体与该控制单元；及

一电源侦测单元，耦接该控制单元，侦测该外部电压，当该外部电压低于一门槛值时，传送一通知信号至该控制单元，使该控制单元停止存取该非挥发性记忆体。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征是，该非挥发性记忆体依据该控制单元于接收该通知信号之前所发送的最后一笔指令，完成对应该指令之一动作。

3.根据权利要求2所述的存储装置，其中该动作为烧录数据或抹除数据。

4.根据权利要求1所述的存储装置，其特征是，该通知信号为一控制单元重置信号或一记忆体忙碌信号。

5.根据权利要求1所述的存储装置，其特征是，该电源供应单元包含一电压转换电路及一电压稳压电路至少其中之一。

6.根据权利要求1所述的存储装置，其特征是，该非挥发性记忆体系选自闪存(FlashMemory)、相变化记忆体(Phase Change Memory，PCM)、铁电随机存取记忆体(FeRAM)、磁阻记忆体(MRAM)及其组合所构成的群组。

7.根据权利要求1所述的存储装置，其特征是，该电源供应单元及该电源侦测单元至少其中之一与该控制单元系封装于一控制芯片中。

8.一种存储装置的操作方法，该存储装置包含一非挥发性记忆体与一控制单元，其特征是，该操作方法包含下列步骤：

接收一外部电压；

依据该外部电压，提供一工作电压予该非挥发性记忆体与该控制单元；

侦测该外部电压；及

当该外部电压低于一门槛值时，传送一通知信号至该控制单元，使该控制单元停止存取该非挥发性记忆体。

9.根据权利要求8所述的操作方法，其特征是，停止存取该非挥发性记忆体之步骤，包含：

依据该控制单元于接收该通知信号之前所发送的最后一笔指令，使该非挥发性记忆体完成对应该指令之一动作。

10.根据权利要求9所述的操作方法，其特征是，该动作为烧录数据或抹除数据。

11.根据权利要求8所述的操作方法，其特征是，该通知信号为一控制单元重置信号或一记忆体忙碌信号。

12.根据权利要求8所述的操作方法，其特征是，依据该外部电压提供该工作电压之步骤，包含：

转换并稳压该外部电压，以产生该工作电压。