[发明专利]发光二极管晶片分选方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶片晶粒的分选，更详而言之是指一种发光二极管晶片分选方法。

背景技术

晶片上的每颗晶粒或因制备工艺关系会有质量优劣之分，为确保所挑捡晶粒是合格的，通常会施以电气测试以为检测各晶粒的电性与光学特性等，或以影像辨识外观是否有瑕疵，尔后再行分选出合格晶粒。

已知晶粒的分选有两种方法：其一是探测与分选由同一台机器完成，它的优点是可靠，但速度很慢，产能低；其二为将探测与分选分由两台机器完成，即：先是以点测设备(prober)对一晶片上的每一晶粒进行检测，并根据每一晶粒的不同特性予以分级且据此产生一以行-列(Row-Column，R-C)方式标记各晶粒位置的输出档，之后再由一分选设备(sorter)依据该输出档而控制一捡取装置对归属相同级别但分散各处的晶粒予以分选挑捡，也因此，捡取装置经常需以跳跃(jump)动作来进行下一颗晶粒的拾取。惟，上述以行-列(R-C)方式标记各晶粒位置，并以跳跃动作挑捡下一颗晶粒的分选方法，容易因下列因素造成分选错误：

1.在探测与分选两个步骤间的晶粒分离过程中，可能发生晶粒外延片碎裂、局部残缺碎裂或局部残缺，使得实际的晶粒分散与储存在分选机里的数据不符，造成分选困难。

2.晶粒体积小且彼此间距不大，在晶粒被挑选并为顶针自下而上顶起而相对底面所黏附作为支撑的蓝膜分离时，该分离取出动作易牵扯蓝膜并造成些许移位，使得其它未被挑选的晶粒发生位置变动，尤其在跳跃动作的加入，将使得分选错误机率提高。

3.晶粒被以行-列(R-C)方式标记位置，并据此以为挑捡，虽为一简单且快速的定位与分选方法，却因无法提供足够的准确度以提高挑捡正确性。

归纳上述可知，晶粒在被分选之前虽经行-列(R-C)方式标记位置，却因无实时监测、比对、复查等措施而导致后续发生分选错误情形。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种发光二极管晶片分选方法，具有提高晶粒分选正确性与减少错误产生的功效。

缘以达成上述目的，本发明所提供的发光二极管晶片分选方法包括：产生一特征晶粒坐标与一晶粒分布晶片地图，该晶粒分布晶片地图记录有特征晶粒的位置，并以一特殊标记表示特征晶粒位置；利用一分选设备接收该晶粒分布晶片地图与该晶片，且其一影像辨识器依该晶粒分布晶片地图的数据寻找各晶粒位置，在该影像辨识器的可预视范围内涵盖特征晶粒时，读入该特征晶粒坐标并与该晶粒分布晶片地图进行比对，若视觉辨识为特殊标记，则确认特征晶粒的实际位置与该晶粒分布晶片地图所记录特征晶粒的位置吻合。

另一方法则于晶粒分布晶片地图产生之后，该晶粒分布晶片地图记录有特征晶粒的位置，再进行晶片扫描，并产生一晶片晶粒坐标；再比对该晶粒分布晶片地图与该晶片晶粒坐标以确认晶粒位置，以及比对该晶粒分布晶片地图与该特征晶粒坐标，若特殊标记位置与特征晶粒位置吻合，则以一分选设备进行晶粒分选。

再一方法是利用一点测设备探测晶片的各晶粒，并产生一以一第一组相对坐标记录各晶粒位置的晶粒分布晶片地图；之后进行晶片扫描且产生一晶片晶粒坐标，该晶片晶粒坐标记录有各晶粒位置，前述晶粒位置被以一第二组相对坐标及一绝对坐标方式记录储存；尔后比对该第一组相对坐标与该第二组相对坐标所记录晶粒位置，若两者误差在一预设范围内，则利用一分选设备以该绝对坐标所记录晶粒位置进行晶粒分选。

附图说明

图1为一般晶片的示意图；

图2为本发明较佳实施例的比对流程图(一)；

图3为本发明较佳实施例的特征晶粒坐标示意图；

图4为本发明较佳实施例的晶粒分布晶片地图示意图；

图5为本发明上述较佳实施例的另一比对流程图，说明特征晶粒坐标与晶粒分布晶片地图系同时产生；

图6为本发明较佳实施例的比对流程图(二)；

图7为本发明较佳实施例的比对流程图(三)；

图8为本发明较佳实施例的比对流程图(四)。

【主要元件符号说明】

100晶片

101晶粒

101a正常晶粒                        101b特征晶粒

200特征晶粒坐标

300晶粒分布晶片地图

400晶片晶粒坐标

500晶粒分布晶片地图

600晶片晶粒坐标

具体实施方式