[发明专利]发光二极管晶片分选方法

权利要求书

1.一种发光二极管晶片分选方法，包含下列步骤：

产生一特征晶粒坐标与一晶粒分布晶片地图，该晶粒分布晶片地图记录有特征晶粒的位置，并以一特殊标记表示特征晶粒位置；

利用一分选设备接收该晶粒分布晶片地图与该晶片，且其一影像辨识器依该晶粒分布晶片地图的数据寻找各晶粒位置，在该影像辨识器的可预视范围内涵盖特征晶粒时，读入该特征晶粒坐标并与该晶粒分布晶片地图进行比对，若视觉辨识为特殊标记，则确认特征晶粒的实际位置与该晶粒分布晶片地图所记录特征晶粒的位置吻合。

2.如权利要求1所述的发光二极管晶片分选方法，其特征在于，在确认特征晶粒的实际位置与晶粒分布晶片地图所记录特征晶粒位置吻合时，该分选设备继续挑检晶粒。

3.如权利要求1所述的发光二极管晶片分选方法，其特征在于，该特征晶粒坐标与该晶粒分布晶片地图由一点测设备探测晶片而产生。

4.如权利要求1所述的发光二极管晶片分选方法，其特征在于，该特征晶粒坐标于晶片制作过程中单独产生，该晶粒分布晶片地图由一点测设备探测晶片而产生。

5.如权利要求1所述的发光二极管晶片分选方法，其特征在于，该特殊标记是以空穴方式表示特征晶粒位置。

6.如权利要求1所述的发光二极管晶片分选方法，其特征在于，该特殊标记是代表预定级别的晶粒的位置。

7.如权利要求1所述的发光二极管晶片分选方法，其特征在于，该特征晶粒坐标与该晶粒分布晶片地图一起为该分选设备接收。

8.如权利要求1所述的发光二极管晶片分选方法，其特征在于，该特征晶粒坐标自分选设备外部读入。

9.一种发光二极管晶片分选方法，包含下列步骤：

产生一特征晶粒坐标与一晶粒分布晶片地图，该晶粒分布晶片地图记录有特征晶粒的位置，并以一特殊标记表示特征晶粒位置；

进行晶片扫描，并产生一晶片晶粒坐标；

比对该晶粒分布晶片地图与该晶片晶粒坐标以确认晶粒位置，以及比对该晶粒分布晶片地图与该特征晶粒坐标，若特殊标记位置与特征晶粒位置吻合，则以一分选设备进行晶粒分选。

10.如权利要求9所述的发光二极管晶片分选方法，其特征在于，是以一具影像扫描与辨识功能的扫描装置对该晶片进行扫描，该扫描装置为该分选设备的一部分。

11.如权利要求9所述的发光二极管晶片分选方法，其特征在于，是以一具影像扫描与辨识功能的扫描装置对该晶片进行扫描，该扫描装置位于该点测设备与该分选设备之间。

12.如权利要求9所述的发光二极管晶片分选方法，其特征在于，该特征晶粒坐标与该晶粒分布晶片地图由一点测设备探测晶片而产生。

13.如权利要求9所述的发光二极管晶片分选方法，其特征在于，该特征晶粒坐标于晶片制作过程中单独产生，该晶粒分布晶片地图由一点测设备探测晶片而产生。

14.如权利要求9所述的发光二极管晶片分选方法，其特征在于，该特殊标记是以空穴方式表示特征晶粒位置。

15.如权利要求9所述的发光二极管晶片分选方法，其特征在于，该特殊标记是代表预定级别的晶粒的位置。

16.一种发光二极管晶片分选方法，其特征在于，包含下列步骤：

利用一点测设备探测晶片的各晶粒，并产生一晶粒分布晶片地图，该晶粒分布晶片地图以一第一组相对坐标记录各晶粒位置；

进行晶片扫描，并产生一晶片晶粒坐标，该晶片晶粒坐标记录有各晶粒位置，前述晶粒位置被以一第二组相对坐标及一绝对坐标方式记录储存；

比对该第一组相对坐标与该第二组相对坐标所记录晶粒位置，若两者误差在一预设范围内，则一分选设备以该绝对坐标所记录晶粒位置进行晶粒分选。

17.如权利要求16所述的发光二极管晶片分选方法，其特征在于，以该第一组相对坐标提供的信息控制一扫描装置改变影像辨识位置至预定晶粒上方，该扫描装置的实时影像信息补偿所对应晶粒位置的误差，并据以产生该第二组相对坐标。