[发明专利]单栅极结构的半导体存储器

权利要求书

1.一种半导体存储器，包括：

高电势阱，位于半导体衬底的上部上；

第一阱，位于所述高电势阱的上部上，所述第一阱具有第一导电型；

第二阱，在所述高电势阱的上部上与所述第一阱间隔开并穿过所述高电 势阱，所述第二阱具有第一导电型；

浮置栅极，位于所述第一阱和所述第二阱上，所述浮置栅极具有第一导 电型；

第一离子注入区，位于所述浮置栅极的一侧上的第一阱中，所述第一离 子注入区具有第二导电型；

第二离子注入区，位于所述浮置栅极的另一侧上的第一阱区中，所述第 二离子注入区具有第二导电型；

第一互补离子注入区，位于靠近所述第二离子注入区的第一阱中，所述 第一互补离子注入区具有第一导电型；

第三离子注入区，位于所述浮置栅极的一侧上的第二阱区中，所述第三 离子注入区具有第二导电型；以及

第二互补离子注入区，位于所述浮置栅极的另一侧上的第二阱区中。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述高电势阱具有第二导 电型，并且所述第一阱的侧表面和底表面被所述高电势阱围绕；

还包括所述高电势阱的上部中位于所述第一阱和所述第二阱的侧表面 上的阱；以及

还包括至少一个栓区，位于所述第一阱和所述第二阱中至少一个的上部 中。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器，其中所述第二互补离子注入区 具有第一导电型，并且所述栓区具有第二导电型。

4.一种半导体存储器，包括：

高电势阱，位于半导体衬底的上部中，所述高电势阱具有第二导电型；

第一阱，位于所述高电势阱的上部上，所述第一阱具有第一导电型；

第二阱，在所述高电势阱的上部上与所述第一阱间隔开，所述第二阱具 有第一导电型；

浮置栅极，位于所述第一阱和所述第二阱上；

第一离子注入区，位于所述浮置栅极的一侧上的第一阱区中，所述第一 离子注入区具有第二导电型；

第二离子注入区，位于所述浮置栅极的另一侧上的第一阱中，所述第二 离子注入区具有第二导电型；

第一互补离子注入区，位于靠近所述第二离子注入区的第一阱中，所述 第一互补离子注入区具有第一导电型；

第三离子注入区，位于靠近所述浮置栅极的第二阱中，所述第三离子注 入区具有第二导电型；以及

第二互补离子注入区，位于所述第二阱区中，所述第二互补离子注入区 具有第一导电型。

5.一种对根据权利要求1所述的半导体存储器进行编程的方法，包括步 骤：

向所述第二离子注入区和所述第三离子注入区施加正电势的第一电压； 以及

使所述第一互补离子注入区、所述第二互补离子注入区以及所述第一离 子注入区接地；或者

使所述第二互补离子注入区和所述第三离子注入区接地；以及

向所述第一离子注入区、所述第二离子注入区以及所述第一互补离子注 入区施加负电势的电压。

6.一种对根据权利要求2所述的半导体存储器进行编程的方法，包括步 骤：

向所述第二离子注入区、所述第三离子注入区以及所述栓区施加正电势 的第一电压；以及

使所述第一互补离子注入区、所述第二互补离子注入区以及所述第一离 子注入区接地；或者

使所述第二互补离子注入区、所述第三离子注入区以及所述栓区接地； 以及

向所述第一离子注入区、所述第二离子注入区以及所述第一互补离子注 入区施加负电势的电压。