[发明专利]制作闪存器件的方法无效
| 申请号： | 200910261762.6 | 申请日： | 2009-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101840890A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 尹基准 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人： | 宋子良;方抗美 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作 闪存 器件 方法 | ||
1.一种制作闪存器件的方法，包括以下步骤：
在半导体衬底上形成ONO膜；
在所述ONO膜上形成存储栅；
在所述存储栅的上部和侧壁上形成栅氧化物膜；
在包括所述存储栅的所述半导体衬底的整个表面上形成用于选通电路的第一多晶硅；
在所述第一多晶硅的整个表面上额外地形成第二多晶硅；
蚀刻所述第一多晶硅和所述第二多晶硅的一部分，以使所述第一多晶硅和所述第二多晶硅变平；以及
选择性地蚀刻所述第一多晶硅的区域以形成选通电路。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述在包括所述存储栅的所述半导体衬底的整个表面上形成用于选通电路的第一多晶硅的步骤在所述第一多晶硅中形成取决于所述存储栅之间的距离的圆形槽。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，额外地形成所述第二多晶硅以填充在所述第一多晶硅中的所述圆形槽。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻所述第一多晶硅和所述第二多晶硅的一部分以使所述第一多晶硅和所述第二多晶硅变平的步骤包括为了变平而通过等离子体干法蚀刻来回蚀的步骤。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻所述第一多晶硅和所述第二多晶硅的一部分以使所述第一多晶硅和所述第二多晶硅变平的步骤包括完全去除所述第二多晶硅并且使所述第一多晶硅变平以将所述第一多晶硅填充在所述存储栅之间的圆形槽内的步骤。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，使所述第一多晶硅变平以具有与所述存储栅相同的厚度。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述选择性地蚀刻所述第一多晶硅的区域以形成选通电路的步骤包括在所述存储栅的侧壁上形成选通电路的步骤。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述选通电路具有平坦的上表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
