[发明专利]电子元件及电子元件的制造方法有效

专利信息
申请号: 200910258164.3 申请日: 2009-12-21
公开(公告)号: CN101763933A 公开(公告)日: 2010-06-30
发明(设计)人: 吉田诚;神山浩;西川朋永 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01F17/00 分类号: H01F17/00;H01F37/00
代理公司: 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 代理人: 杨勇;郑建晖
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电子元件 制造 方法
【说明书】:

优先权声明

本申请要求享有于2008年12月22日提交的日本专利申请 NO.2008-325389以及于2009年8月31日提交的日本专利申请 No.2009-199260的优先权,所述两个申请通过引用方式被纳入本说 明书。

技术领域

本发明涉及一种适于表面安装到用于电子设备的印刷电路板或者 混合集成电路(HIC)上的表面安装型电子元件,以及电子元件的制造 方法。

背景技术

存在有各种无源元件,例如构造电感器元件或者共模扼流圈 (common mode choke coil)的线圈元件,或者电容器元件,它们用 作表面安装到诸如计算机或移动电话等的电子设备上的电子元件。

例如对于线圈元件而言,公知的有具有铁氧体磁芯以及围绕该铁 氧体磁芯缠绕的铜线的绕线型(line-wound type)线圈元件、具有由 例如铁氧体制成的层压磁板和形成在每个板的表面上的线圈导体分布 图的层压型线圈元件、以及具有使用薄膜制造技术被交替层压到彼此 上的绝缘薄膜和薄金属线圈导体的薄膜型线圈元件。

日本专利公开文本No.8-203,737和No.2002-203,718公开了一 种共模扼流圈,其是薄膜型线圈元件的一个实例。这种共模扼流圈通 常通过以下步骤形成:使用薄膜制造技术将绝缘层和线圈层交替层压 到铁氧体衬底上;将一铁氧体衬底层压到该铁氧体衬底上;将所述被 层压的层和衬底切割从而分离为每个都具有长方体外型的单独芯片; 然后电镀外电极,使得它们连接至暴露在芯片的侧面上的内电极终端。

通过如下过程制造诸如上述共模扼流圈的常规电子元件。首先, 使用薄膜制造技术在衬底上形成多个元件;然后将衬底切割而分为单 独元件芯片(element chips);此后通过电镀在每个芯片的顶面、侧 面和底面上形成外电极。为了获得与印刷电路板的焊接缝中的足够强 度以及与内导体的足够导电性,在日本专利公开文本No.8-203,737 中所描述的共模扼流圈在每个外电极中具有U型横截面图形。

然而,由于在将衬底切割为多个单独芯片之前,不会暴露出芯片 的任何侧面,因此在切割过程之前不可能在侧面上制造外电极。如果 在侧面上没有形成外电极,那么电极的面积将变得非常小从而不能在 焊接缝中确保足够的强度。

因此,当制造这种电子元件时,在将衬底切割为多个单独芯片之 后,在每个芯片的表面上形成具有预期横截面形状的外电极图形。由 于根据现有技术,必须要在被分离为多个单独芯片之后形成外电极图 形,从而很难准确地形成每个外电极的形状、尺寸和位置。另外,根 据现有技术,因为需要多个制造过程——例如用于在衬底上制造元件 的过程以及在将衬底分离为单独衬底之后进行的过程,因此极大地增 加了制造成本。

发明内容

因此本发明的目的之一在于,提供一种包括具有大电极面积的外 电极的电子元件,使得当安装该电子元件时可提供足够焊接强度,并 且提供一种关于所述电子元件的制造方法。

本发明的另一目的在于,提供一种包括具有准确形状、尺寸和位 置的外电极的电子元件,并且提供一种所述电子元件的制造方法。

本发明的再一目的在于,提供一种电子元件以及所述电子元件的 制造方法,从而可实现该电子元件的微型化和较低的制造成本。

根据本发明,一种电子元件包括:至少一个无源元件,其形成在 所述电子元件中;绝缘层,其用于覆盖所述至少一个无源元件;多个 导体层,其电连接至所述至少一个无源元件并且形成在所述绝缘层的 外侧上以延伸至所述电子元件的顶面的至少一部分;以及多个外电极, 每个外电极都具有L型截面,所述多个外电极被形成以涂覆位于所述 电子元件的顶面的一部分处的所述多个导体层,并且所述多个外电极 被形成在所述电子元件的至少一个侧面的一部分上。

每个外电极都被形成以涂覆位于所述无源元件的顶面的一部分处 的每个导体层,并且所述每个外电极都被形成在所述无源元件的侧面 的一部分上以具有L型截面。由于每个外电极不仅形成在电子元件的 顶面上并且也形成在电子元件的侧面上以具有L型截面,从而可获得 大面积的外电极以提供用于安装的焊接缝中的足够强度。

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