[发明专利]电子元件及电子元件的制造方法有效
| 申请号: | 200910258164.3 | 申请日: | 2009-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN101763933A | 公开(公告)日: | 2010-06-30 |
| 发明(设计)人: | 吉田诚;神山浩;西川朋永 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
| 主分类号: | H01F17/00 | 分类号: | H01F17/00;H01F37/00 |
| 代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 杨勇;郑建晖 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子元件 制造 方法 | ||
1.一种电子元件,包括:
衬底;
至少一个无源元件,其形成在所述衬底的顶面上;
绝缘层,其形成于所述衬底的顶面上并覆盖所述至少一个无源元 件;
多个导体层,其电连接至所述至少一个无源元件并且形成在所述 绝缘层的一个外侧上的所述绝缘层的一部分上,以使得所述绝缘层的 所述外侧上的所述绝缘层的一部分位于所述多个导体层与所述衬底之 间,所述多个导体层延伸至所述电子元件的顶面的至少一部分;
多个外电极,每个外电极都被形成为L型截面,所述L型截面具 有一个第一部分和一个第二部分,所述第一部分被形成以涂覆位于所 述电子元件的顶面的一部分处的所述多个导体层,所述第二部分被形 成以涂覆所述电子元件的至少一个侧面,且所述第二部分沿着所述至 少一个侧面从所述电子元件的顶面向下延伸到所述绝缘层的外侧上的 所述绝缘层的一部分且不到达所述衬底;以及
在所述多个导体层之间,填充有包含磁材料的层,其中所述包含 磁材料的层形成于所述绝缘层的顶面且与所述衬底相对。
2.根据权利要求1所述的电子元件,其中所述多个外电极中的每 一个仅在所述电子元件的顶面和一侧面之间被形成为L型截面。
3.根据权利要求1所述的电子元件,其中所述多个外电极中的每 一个在所述电子元件的顶面和两个侧面中的每个侧面之间、以及在所 述电子元件的两个侧面之间被形成为L型截面。
4.根据权利要求1所述的电子元件,其中所述多个导体层延伸至 所述电子元件的顶面的一部分,并且延伸至所述电子元件的所述至少 一个侧面的一部分,并且其中所述多个外电极被涂覆到位于所述电子 元件的顶面的内电极的一部分上的所述多个导体层上,并且被涂覆到 所述电子元件的所述至少一个侧面的一部分上。
5.根据权利要求1所述的电子元件,其中所述多个外电极的每一 个都包括电镀在所述多个导体层的每一个之上的导体薄膜。
6.根据权利要求5所述的电子元件,其中所述导体薄膜的每一个 都由包括金薄膜的多层薄膜组成,或者由锡薄膜组成。
7.根据权利要求1所述的电子元件,其中所述多个导体层仅延伸 至所述电子元件的顶面的一部分,并且其中所述多个外电极仅在所述 电子元件的顶面的一部分处电导通至所述多个导体层。
8.根据权利要求1所述的电子元件,其中所述多个外电极中的每 一个都包括下导体薄膜和上导体薄膜,所述下导体薄膜形成在所述电 子元件的顶面的一部分处的所述多个导体层的每一个上,并且形成在 所述电子元件的所述至少一个侧面的部分上,所述上导体薄膜被电镀 在所述下导体薄膜上。
9.根据权利要求8所述的电子元件,其中所述下导体薄膜由包括 铜薄膜的多层薄膜组成。
10.根据权利要求8所述的电子元件,其中所述上导体薄膜由包 括金薄膜的多层薄膜组成,或者由锡薄膜组成。
11.根据权利要求1所述的电子元件,其中所述至少一个无源元 件包括电感器、电容器和电阻器中的至少一个。
12.根据权利要求11所述的电子元件,其中所述电子元件是共模 扼流圈。
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